SK海力士半导体（中国）有限公司

基本信息

Hynix 海力士芯片生产商源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲(권오철)。

海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。

海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处，共有员工21000人(含海外员工).

海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前，海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。

另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。

发展历程[编辑内容]

1983年2月创立现代电子株式会社

公司概要展望商业领域主要历程可持续经营

持续经营报告书伦理经营

伦理经营宣言伦理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志

1984年 9月完成FAB II-A

1985年 10月开始批量生产256K的DRAM

1986年 4月设立半导体研究院

6月举行第一次员工文化展览会"Ami Carnical"

1988年 1月开发1M的DRAM

11月在欧洲当地设立公司(HEE)

1989年 9月开发4M的DRAM

11月完成FAB III

1991年3月开发16M的DRAM

1992年11月开发64M的DRAM

1993年 8月接管Maxtor公司(美国HDD生产公司)

9月获得半导体类ISO9001证书

1995年10月在世界上首次开发256M的SDRAM

在美国俄勒冈州设立半导体工厂

1996年12月公司股票上市

1997年5月在世界上首次开发1G SDRAM

1998年9月开发64M的DDR SDRAM

1999年 3月出售专业的半导体组装公司(ChipPAC)

10月合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社

2000 4月剥离电子线路设计业务'Hyundai Autonet'

8月剥离显示屏销售业务'Hyundai Image Quest'

2001 3月公司更名为"Hynix半导体有限公司"

5月剥离通信服务业务'Hyundai CuriTel'

剥离网络业务'Hyundai Networks'

7月剥离CDMA移动通信设备制造业务'Hyundai Syscomm'

8月完成与现代集团的最终分离

9月开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

2002 3月开发1G DDR DRAM模块

6月在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户

10月开发0.10微米、512MB DDR

11月出售HYDIS， TFT-LCD业务部门

2003 3月发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM

4月宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存

5月采用0.10微米工艺技术投入生产

超低功率256Mb SDRAM投入批量生产12月宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU

7月宣布在世界上首次发表DDR500

8月宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。

2004 2月成功开发NAND闪存

3月行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz

1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证

6月签订非内存事业营业权转让协议

7月获得公司成立以来最大的季度营业利润

8月与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议11月与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议

2005

1月与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议

3月发布2004年财务报表，实现高销售利润

4月海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼

7月提前从企业重组完善协议中抽身而出

11月业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM

12月世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006

1月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)3月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证

9月 300mm研究生产线下线

10月创下创立以来最高业绩

通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络

12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块

开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

2006

年创下最高业绩及利润

2007

1月开发出以"晶圆级封装(Wafer Level Package)"技术为基础的超高速存储器模块

3月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM

发表"生态标记(ECO Mark)"

与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同

与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)

金钟甲就任新任代表理事、社长

4月 DOC H3开始大量生产

在韩国清州300mm设施开工

实现最高水平的营业利润率

5月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证

7月发表企业中长期总体规划

8月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

9月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP

10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同

与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同

11月 WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议获得对1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM

12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)

2008

1月发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证

2月引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

5月与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案

8月清州第三工厂的300mm组装厂竣工

世界最先推出使用metaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM

为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大

11月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

12月世界最先开发2Gb Mobile DRAM

2009年

1月世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证

2月世界最先开发44nm DDR3 DRAM

3月世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证

4月世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

获得荣誉[编辑内容]

1984年9月完成FAB II-A

1985年10月开始批量生产256K的DRAM

1986年

4月设立半导体研究院

6月举行第一次员工文化展览会"Ami Carnical"

1988年

1月开发1M的DRAM

11月在欧洲当地设立公司(HEE)

1989年

9月开发4M的DRAM

11月完成FAB III

1991年

3月开发16M的DRAM

1992年

11月开发64M的DRAM

1993年

8月接管Maxtor公司(美国HDD生产公司)

9月获得半导体类ISO9001证书

1995年

10月在世界上首次开发256M的SDRAM

在美国俄勒冈州设立半导体工厂

1996年12月公司股票上市

1997年5月在世界上首次开发1G SDRAM

1998年9月开发64M的DDR SDRAM

1999年

3月出售专业的半导体组装公司(ChipPAC)

10月合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社

2000

4月剥离电子线路设计业务'Hyundai Autonet'

8月剥离显示屏销售业务'Hyundai Image Quest'

2001

9月开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

2002

3月开发1G DDR DRAM模块

6月在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
10月开发0.10微米、512MB DDR

2003

3月发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM

4月宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存

5月采用0.10微米工艺技术投入生产

超低功率256Mb SDRAM投入批量生产12月宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU

7月宣布在世界上首次发表DDR500

8月宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。

2004

2月成功开发NAND闪存

3月行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz

1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证

7月获得公司成立以来最大的季度营业利润

8月与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议11月与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议

2005

3月发布2004年财务报表，实现高销售利润

4月海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼

11月业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM

12月世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006

1月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)3月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证

9月 300mm研究生产线下线

10月创下创立以来最高业绩

通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络

12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块

开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

2006

年创下最高业绩及利润

2007

1月开发出以"晶圆级封装(Wafer Level Package)"技术为基础的超高速存储器模块

3月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM

发表"生态标记(ECO Mark)"

与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同

与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)
4月 DOC H3开始大量生产

在韩国清州300mm设施开工

实现最高水平的营业利润率

5月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证

8月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

9月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP

10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同

与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同

12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)

2008

1月发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证

2月引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

5月与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案

8月清州第三工厂的300mm组装厂竣工

世界最先推出使用metaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM

为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大

11月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

12月世界最先开发2Gb Mobile DRAM

2009年

1月世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证

2月世界最先开发44nm DDR3 DRAM

3月世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证

4月世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

1 公司评级
2 基本信息
3 公司介绍
4 发展历程
5 获得荣誉

词条统计

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最近更新：2016-05-10

对发展历程进行编辑

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<div>1983年2月  创立现代电子株式会社</div>
<div>                   公司概要展望商业领域主要历程可持续经营</div>
<div>                   持续经营报告书伦理经营</div>
<div>                   伦理经营宣言伦理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志</div>
<div>1984年        9月完成FAB II-A</div>
<div>1985年        10月开始批量生产256K的DRAM</div>
<div>1986年        4月设立半导体研究院</div>
<div>                    6月举行第一次员工文化展览会"Ami Carnical"</div>
<div>1988年        1月开发1M的DRAM</div>
<div>                    11月 在欧洲当地设立公司(HEE)</div>
<div>1989年        9月 开发4M的DRAM</div>
<div>                   11月 完成FAB III</div>
<div>1991年3月   开发16M的DRAM</div>
<div>1992年11月 开发64M的DRAM</div>
<div>1993年        8月 接管Maxtor公司(美国HDD生产公司)</div>
<div>                    9月 获得半导体类ISO9001证书</div>
<div>1995年10月 在世界上首次开发256M的SDRAM</div>
<div>                    在美国俄勒冈州设立半导体工厂</div>
<div>1996年12月 公司股票上市</div>
<div>1997年5月   在世界上首次开发1G SDRAM</div>
<div>1998年9月   开发64M的DDR SDRAM</div>
<div>1999年         3月 出售专业的半导体组装公司(ChipPAC)</div>
<div>                    10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社</div>
<div>2000            4月 剥离电子线路设计业务'Hyundai Autonet'</div>
<div>                    8月 剥离显示屏销售业务'Hyundai Image Quest'</div>
<div>2001            3月 公司更名为"Hynix半导体有限公司"</div>
<div>                    5月 剥离通信服务业务'Hyundai CuriTel'</div>
<div>                          剥离网络业务'Hyundai Networks'</div>
<div>                    7月 剥离CDMA移动通信设备制造业务'Hyundai Syscomm'</div>
<div>                    8月 完成与现代集团的最终分离</div>
<div>                    9月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM</div>
<div>2002            3月 开发1G DDR DRAM模块</div>
<div>                    6月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户</div>
<div>                    10月 开发0.10微米、512MB DDR</div>
<div>                    11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门</div>
<div>2003            3月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM</div>
<div>                    4月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存</div>
<div>                    5月 采用0.10微米工艺技术投入生产</div>
<div>                    超低功率256Mb SDRAM投入批量生产12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU</div>
<div>                    7月 宣布在世界上首次发表DDR500</div>
<div>                    8月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。</div>
<div>2004            2月 成功开发NAND闪存</div>
<div>                    3月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz</div>
<div>                          1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证</div>
<div>                    6月 签订非内存事业营业权转让协议</div>
<div>                    7月 获得公司成立以来最大的季度营业利润</div>
<div>                    8月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议11月 与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订                            关于在中国合资建厂的协议</div>
<div>2005</div>
<div>1月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议</div>
<div>3月 发布2004年财务报表，实现高销售利润</div>
<div>4月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼</div>
<div>7月 提前从企业重组完善协议中抽身而出</div>
<div>11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM</div>
<div>12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM</div>
<div>2006</div>
<div>1月 发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)3月 业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证</div>
<div>9月 300mm研究生产线下线</div>
<div>10月 创下创立以来最高业绩</div>
<div>        通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络</div>
<div>12月   业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块</div>
<div>           开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM</div>
<div> 2006</div>
<div>年创下最高业绩及利润</div>
<div> 2007</div>
<div>1月 开发出以"晶圆级封装(Wafer Level Package)"技术为基础的超高速存储器模块</div>
<div>3月 开发出世界最高速ECC Mobile DRAM</div>
<div>      发表"生态标记(ECO Mark)"</div>
<div>      与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同</div>
<div>      与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)</div>
<div>      金钟甲就任新任代表理事、社长</div>
<div>4月 DOC H3开始大量生产</div>
<div>      在韩国清州300mm设施开工</div>
<div>      实现最高水平的营业利润率</div>
<div>5月 业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证</div>
<div>7月 发表企业中长期总体规划</div>
<div>8月 开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM</div>
<div>9月 以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP</div>
<div>10月  与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同</div>
<div>         与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同</div>
<div>11月 WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议获得对1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM</div>
<div>12月 成功发行国际可兑换券(global co<em></em>nvertible notes)</div>
<div>2008</div>
<div>1月 发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证</div>
<div>2月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM</div>
<div>5月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案</div>
<div>8月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工</div>
<div>       世界最先推出使用me<em></em>taRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM</div>
<div>       为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大</div>
<div>11月 引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM</div>
<div>12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM</div>
<div>2009年</div>
<div>1月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证</div>
<div>2月 世界最先开发44nm DDR3 DRAM</div>
<div>3月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证</div>
<div>4月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM</div>
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<div> </div>
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对获得荣誉进行编辑

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<div>1984年9月 完成FAB II-A</div>
<div>1985年10月 开始批量生产256K的DRAM</div>
<div>1986年</div>
<div>4月 设立半导体研究院</div>
<div>6月 举行第一次员工文化展览会"Ami Carnical" </div>
<div>1988年</div>
<div>1月 开发1M的DRAM</div>
<div>11月 在欧洲当地设立公司(HEE)</div>
<div>1989年</div>
<div>9月 开发4M的DRAM</div>
<div>11月 完成FAB III</div>
<div>1991年</div>
<div>3月 开发16M的DRAM</div>
<div>1992年</div>
<div>11月 开发64M的DRAM</div>
<div>1993年 </div>
<div>8月 接管Maxtor公司(美国HDD生产公司)</div>
<div>9月 获得半导体类ISO9001证书</div>
<div>1995年 </div>
<div>10月 在世界上首次开发256M的SDRAM</div>
<div>        在美国俄勒冈州设立半导体工厂</div>
<div>1996年12月 公司股票上市</div>
<div>1997年5月 在世界上首次开发1G SDRAM</div>
<div>1998年9月 开发64M的DDR SDRAM</div>
<div>1999年</div>
<div>3月 出售专业的半导体组装公司(ChipPAC)</div>
<div>10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社</div>
<div>2000</div>
<div>4月 剥离电子线路设计业务'Hyundai Autonet'</div>
<div>8月 剥离显示屏销售业务'Hyundai Image Quest'</div>
<div>2001</div>
<div>9月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM</div>
<div>2002</div>
<div>3月 开发1G DDR DRAM模块</div>
<div>6月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户<br />
10月 开发0.10微米、512MB DDR</div>
<div>2003</div>
<div>3月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM</div>
<div>4月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存</div>
<div>5月 采用0.10微米工艺技术投入生产</div>
<div>      超低功率256Mb SDRAM投入批量生产12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU</div>
<div>7月 宣布在世界上首次发表DDR500</div>
<div>8月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。</div>
<div>2004</div>
<div>2月 成功开发NAND闪存</div>
<div>3月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz</div>
<div>      1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证</div>
<div>7月 获得公司成立以来最大的季度营业利润</div>
<div>8月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议11月 与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议</div>
<div>2005</div>
<div>3月 发布2004年财务报表，实现高销售利润</div>
<div>4月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼</div>
<div>11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM</div>
<div>12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM</div>
<div>2006</div>
<div>1月 发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)3月 业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证</div>
<div>9月 300mm研究生产线下线</div>
<div>10月 创下创立以来最高业绩</div>
<div>       通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络</div>
<div>12月  业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块</div>
<div>          开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM</div>
<div>2006</div>
<div>年创下最高业绩及利润</div>
<div>2007</div>
<div>1月 开发出以"晶圆级封装(Wafer Level Package)"技术为基础的超高速存储器模块</div>
<div>3月 开发出世界最高速ECC Mobile DRAM</div>
<div>      发表"生态标记(ECO Mark)"</div>
<div>      与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同</div>
<div>      与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)<br />
4月 DOC H3开始大量生产</div>
<div>      在韩国清州300mm设施开工</div>
<div>      实现最高水平的营业利润率</div>
<div>5月 业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证</div>
<div>8月 开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM</div>
<div>9月 以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP</div>
<div>10月   与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同</div>
<div>          与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同</div>
<div>11月 WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议获得对1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM</div>
<div>12月 成功发行国际可兑换券(global co<em></em>nvertible notes)</div>
<div>2008</div>
<div>1月 发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证</div>
<div>2月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM</div>
<div>5月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案</div>
<div>8月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工</div>
<div>       世界最先推出使用me<em></em>taRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM</div>
<div>       为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大</div>
<div>11月 引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM</div>
<div>12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM</div>
<div>2009年</div>
<div>1月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证</div>
<div>2月 世界最先开发44nm DDR3 DRAM</div>
<div>3月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证</div>
<div>4月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM</div>
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