ITO的原子与晶粒排布（电子扫描）
在绝大多数的场合中，化学蚀刻法是ITO图形制备最成熟和可行的技术，它可以根据你的需要，生成目前足够精细的图案和相对比较少的前期投资。随着深紫外线技术在曝光设备上的应用，微米的精度，早已被大多数厂家所实现。它具有高效率、批次稳定性和重复性好、设备投资额低、配套技术完善等诸多优点，目前仍是大规模生产的主要方向，使用的原料有蚀刻膏、抗蚀油墨、光刻胶三种。
1、蚀刻膏工艺
化学蚀刻法有以下几种方式实现：一种是直接在产品电极图形区域外印制蚀刻膏，等反应完全后，用蚀刻膏溶剂，一般是水清洗干净，留下所需的电极图形。这种方式对于一些线宽和线距要求在0.2mm以上的光电产品如低档TN显示器、电阻式触摸屏、按键式电容屏、光伏电池等，因为不用耗费大量的化学物品，对环境污染影响更小，节省大量水、电费、场地费用，前期投资费用低廉，一般的丝印行业就可以掌握大部分技术等因素，有日趋发展的势头。它主要的控制点就在于温度对于蚀刻速度的控制，设计时要充分考虑边缘效应这两点上，一般可以用比较简单的工场实地实验，就可以得到比较准备的参数。
2、抗蚀油墨工艺
化学蚀刻法第二种方法，刚好与第一种相反，它是在产品电极图形区域内印制是阻蚀油墨保护起来，然后把产品浸入化学蚀刻液中，让产品电极图形区域外部分与化学蚀刻液完全反应后，再把阻蚀油墨从产品电极图形表面剥离下来，形成产品电极图形。它的线宽和线距做到0.08mm，仍可以达到95%以上的蚀刻良率。这种方法在PCB线路板、薄膜开关、电阻式触摸屏、光伏电池等产品生产上，目前占据主流的地位。
按照最后剥离去的方式不同，阻蚀油墨分为物理剥离型和化学溶液剥离型。其中物理剥离型阻蚀油墨，除了用在电子产品图形制备生产中，更多的是用在产品表面防护上，以阻止外力损伤产品，隔绝外面环境中的水、电、气，防止它们腐蚀产品。其中在电子行业里应用最多的就是电路板绝缘保护胶，和触摸屏生产中的表面保护胶。由于物理剥离型阻蚀油墨，如果在产品转序过程中，需要去除的话，是使用物理外力撕下剥离的，所以一般它的丝印厚度要求在化学溶液剥离型阻蚀油墨的丝印厚度的二到三倍以上，并且在固化程度上，不能象化学溶液剥离型阻蚀油墨一样，只要达到表面固化即可，也要求一定要完全固化，这样在生产的后续加工过程中，边缘部分不会因为挤压而变形破裂，在需要移除的时候，产生边缘残留。在触摸屏的生产过程中，表面保护胶的边缘残留，是影响产品生产效率和品质良品率的主要因素之一。
化学溶液剥离型阻蚀油墨，按最后剥离时的方式不同，也分为一种是溶解型的，一种是膨胀型的。两都在蚀刻效果上没有什么区别，只是在剥离清洗过程中，溶解型的阻蚀油墨不需要强碱，对一些对碱浓度比较敏感的产品更适合，它的缺点是，为了提高油墨丝印的性能，添加了一些填料在油墨中以增加油墨粘度和定型能力，这些填料，会在剥离溶解过程中，因附壁效应，依附残留在产品表面，比较难以清洗干净。这些缺点，在膨胀型的油墨中则不会出现，但膨胀型油墨在剥离时，对碱的浓度要求较高，并且剥离后的油墨呈片状，在剥离设备的碱液循环系统中，要有相应的过滤和隔离措施，以免阻塞管路和重复污染产品。
阻蚀油墨的关键参数是针孔度和粘度，由于一般都是制作线宽线距0.08mm以上的产品，一般的针孔度都能达到要求，所以在实际生产过程，主要关注的是粘度变化。
3、光刻胶工艺
化学蚀刻方法在线宽线距要求在0.07mm以下的产品生产过程中，上面的两种方式就很难达到要求了，这时就需要一种更为精细的第三种化学蚀刻方式，光刻胶化学蚀刻。
光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。
