感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外(＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1μm以下。
微细加工技术是人类迄今所能达到的精度最高的加工技术，光刻胶是其重要支撑条件之一，这是由微电子信息产业微细加工的线宽所决定的
光刻胶在微电子信息产业中的应用有很多，如用于平板显示器行业，用于印制电路板行业中的光固化阻焊油墨、干膜、湿膜、ED抗蚀剂等等。近年来，电子信息产业的更新换代速度不断加快，新技术、新工艺不断涌现，对光刻胶的需求不论是品种、还是质量和数量都大大增多。可以毫不夸张地说，光刻胶已成为微电子信息产业迅速发展的重要工艺支撑条件之一。
除了上述在平面显示器领域的应用外，光刻胶产品在微细加工技术中的应用将随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发，集成电路与元器件特征尺寸越来越精细的趋势，其加工尺寸将达到深亚微米、百纳米直至纳米级，应用光刻胶的发展趋势为了适应微电子行业亚微米图形加工技术要求，光刻胶的开发已从普通紫外光发展到紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、X射线胶、离子束胶等。目前的开发重点是深紫外光刻胶和电子束化学放大抗蚀剂(CAR)。CAR是以聚4-羟基苯乙烯为化学平台，加入光产酸剂、交联剂及其他成分而成。在辐射源曝光时，其光化学增益可达102～108，从而得到高精度图形。
近年来，光刻胶在微电子行业中不断开发出新的用途，如采用光敏性介质材料制作多芯片组件(MCM)。MCM技术可大幅度缩小电子系统体积，减轻其质量，并提高其可靠性。近年来国外在高级军事电子和宇航电子装备中，已广泛地应用MCM技术。
光刻胶的技术由于改良发展较快的缘故，在普通产品应用上，基本已经解决了针孔率偏高的问题，对普通产品应用几乎不再考虑针孔率对产品制作的影响了。
粘度的调整要视各家的习惯，一般是50CP的产品由于使用时添加了一定的稀释剂，可以比较好调整涂覆效果，成本也可以降低，但是由于大量使用稀释剂，也使光刻胶的一些性能受到影响，在作比较高档的产品时会有分辨率下降的趋势。而30CP的产品，在涂覆效果上，控制稍显困难，但性能比较稳定，比较适合制作精细度高的产品。
光刻胶的保存条件比较严格，在光线、温度、湿度上都有限制，特别是开瓶使用后的光刻胶和稀释剂，一旦吸潮，其物理化学性能均下降很快。现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起，很多时候都只考虑此段的洁净度，而疏忽了该段的湿度控制，使得光刻胶涂覆的良品率比较低，在显影时光刻胶脱落严重，起不到保护阻蚀的效果。
电子类产品光刻胶分为高感光度光刻胶和低感光度光刻胶。高感光度光刻胶可以制作10μm以内的高精密线路，一般用于IC和LCD微显示器制作，低感光度光刻胶制作精度在10μm以上，一般用于普通电子产品制作和线路板制作，比如说LCD、OLED、矩阵式电阻触摸屏、投影式电容触摸屏等产品。这种方式在ITO图形制备生产中，目前占据了主流的地位。下面所要讲述的光刻胶工艺，是指应用比较广泛的低感光度正型光刻胶工艺，而负型光刻胶工艺除在图形复制曝光过程中选择相反外，其它工艺步骤基本相似。
光刻胶工艺分为以下几个步骤：光刻胶涂覆—光刻胶预烘—图形复制（曝光）--图形显影—光刻胶固化—化学刻蚀¬—光刻胶剥离
（1）光刻胶涂覆方法
A、浸渍法：把所需涂覆的材料，直接浸入光刻胶中，然后取出后烘干。这种方法因为材料表面杂质不断污染光刻胶，光刻胶的利用率很低，对光刻胶浪费很大，同于材料的清洁程度不同和操作控制比较随便，膜层厚度很不稳定，得到精细图案能力也不太强，目前很少有人在继续使用。
B、离心旋转法：把所需涂覆的材料放在离心机旋转平台上，在上面倒上光刻胶，然后按设定的转速和时间进行涂覆后再烘干。这种方式比浸渍法更容易得到精细的电极图案、生产批次稳定和批次重复性高的工艺数据等。它的前期设备投入费用较低，产品品质较稳定，特别是在一些高世代大尺寸产品和一些小规模产线的产品生产中，仍占有很重要的地位。当然它也没有克服光刻胶利用率低的缺点。
离心旋转法的主要难点在于旋转参数的控制，有时为了得到比较完美的效果，不得不把旋转参数分成多段，以便光刻胶在离心力的作用下，中心区和边缘区都达到相同的涂覆效果。针对不同的尺寸，一般需要多次试验后才能得到比较完美的各段参数。
C、辊印转移法
这种方式是先把光刻胶转移到一个或一组带有百微米级的沟槽或微孔的软胶轮上，通过调节刮板与软胶轮间隙，或一组轮的轮与轮的间隙调整光刻胶转移量，再转印到所需要的图形区域内。这种方式在一些中小尺寸产品生产线上应用最广，它可以完全嵌入自动流水生产线中，对生产效率提高、产品质量控制、生产环境控制十分有利。
在辊印过程中，速度、压力、温度的控制，对涂覆质量起着决定性的作用，只有在这个环节得到稳定的效果后，才能对前后工序中的不良品分析有个清晰的认识。
离心旋转法和辊印转移法两种方式涂覆光刻胶，一般都是要求生产线上的ITO膜要先进行预清洗作业，要保证产品表面洁净度很好，水汽成份极小，因为光刻胶的表面张力较强，很容易与在产品表面的污渍互相疏离形成空泡或孔洞，在后面的蚀刻工序中失去阻蚀作用。所以对预清洗的品质控制、生产环境的控制，在光刻胶涂覆作业中尤为重要。
（2）光刻胶预烘
因为光刻胶的表面张力比较大，被涂覆的ITO膜表层也无法做到绝对的无污渍，为了阻止包裹在污渍外的光刻胶因表面张力和作用继续收缩，由气泡或小针也变为大针孔，需要把光刻胶预烘烤，让其表面迅速固化，利用其塑性保证光刻胶的厚度稳定，达到阻蚀效果均匀一致。并且在这道工序中尽量使里面的溶剂完全挥发出来，使光刻胶里面的单体结构在脱去溶剂后，初步聚合成为具有一定分子链的固态小分子物质，以便在后续的图形复制曝光、图形显影工序中，能够得到完整可靠的图形。
在光刻胶预烘过程中，如果溶剂挥发不干净，一是很容易在形复制曝光过程中，因光刻胶里包含的溶剂与已固化的光刻胶交接处的界面效应，使透光掩模下来的紫外光遇到这些界面时产生折射，让图形复制变形。二是在图形显影过程中，ITO表层的溶剂溶于显影剂中，造成ITO膜上的光刻胶与ITO膜面脱离，失去保护ITO的阻蚀作用。
在光刻胶预烘过程中，如果温度过高或时间过长，可能让光刻胶提前由小分子物质变成大分子物质，失去在其在显影液弱碱中的活性，就会在图形显影过程中无法显影，得不到复制的图案。
所以根据自己的工场环境、设备条件、图形设计效果、光刻胶参数，试验出自己的光刻胶预烘参数，是光刻胶工艺中的重中之重。
（3）图形复制曝光
这个步骤是把设计好的图形复制到光刻胶上。具体操作时，是先把设计好的电极电路图形用专用的绘图仪绘制到掩模版上，再把掩模版套放在涂覆有光刻胶需要曝光的ITO膜上，用与光刻胶光感波长相匹配的紫外线灯光照射。掩模的作用就是让紫外线灯光对ITO膜上的光刻胶产生选择性，被绘制过的图形内部被不透紫外线的墨水遮盖，这部分光刻胶保持原样，图形内容外没有绘制墨水的部分，透过紫外线灯光，光刻胶里感光物质中的化学键吸收紫外线能量后断裂打开，形成溶于弱碱的单体分子。
在曝光过程中，主要要注意掩模版与ITO膜光刻膜间的距离和平行度，距离太大，平行度不够，都容易引起图形畸变。对于一些特别精细的图形，还要对掩模块和ITO膜进行同温处理，以避免因热胀冷缩不同，产生图形复制尺寸偏差。
当然生产环境也是很关键，如果把一些外物、污渍或灰尘，也复制到产品上，产生批次性的品质缺陷不良品，那就损失巨大了。
（4）图形显影
把曝光后的ITO膜浸渍在弱碱溶液中，被紫外线照射过的部分的光刻胶溶解于溶液中，图形部分则继续被光刻胶保护着，留下图形的影子。
图形显影时间的安全系数，一般为曝光后的光刻胶完全溶解时间的三到五倍，这样可以保证光刻胶溶解得更彻底。
（5）光刻胶固化
显影后，需要对光刻胶进行固化，让光刻胶里的小分子物质产生聚合反应成不溶于强酸但溶于强碱的致密大分子物质。
（6）化学蚀刻
把光刻胶固化好的ITO膜浸入蚀刻液中，没有光刻胶遮盖的部分与蚀刻液产能化学反应，生成溶解在水中的盐和水。蚀刻液一般为强氧化溶液，如草酸、盐酸、硫酸、硝酸、三氯化铁等等。其中应用最多的是混和酸，比例为浓盐酸:水:硝酸=1:1:0.5。在一些使用ITO FILM的柔性透明电路产品生产过程中，你会发现，有些人用到与ITO镀膜玻璃一样的上述比例混和酸，有些人则要去掉里面的硝酸，主要原因在于ITO FILM的保护方式不一样，如果ITO FILM没有保护膜，或保护膜会被硝酸氧化脱水碳化或磺化，则不能加硝酸，如果保护膜本身就具有阻蚀作用，耐含硝酸在内的强酸，则无需考虑是不是要与ITO镀膜玻璃是否配比一样的问题。
化学蚀刻时间的安全系数与显影时间的安全系数类似，也是为ITO完全蚀刻时间的三到五倍。以保证需要去除ITO的部分能彻底蚀刻干净。
（7）光刻胶剥离
把蚀刻好的ITO膜放入强碱中，让光刻胶溶解在碱液中，完全露出ITO线路和ITO工作面，再用水清洗干净上面的碱液，利用光刻胶化学蚀刻方法进行ITO图形制备的整个工艺流程就完成了。
从上面看来，化学蚀刻方法制备ITO图形，无非就是复制设计图案，制作一层图案选取层，把一部分ITO表面进行保护遮盖后，让裸露的部分ITO与化学蚀刻液产生反应腐蚀掉，得到与设计图案一致的ITO图形。这个过程中，图案选取层的材质与ITO表面的表面亲和力，以及与外物污渍的溶解能力，直接会影响图案选取层的遮盖效果。所以在一些使用蚀刻膏和抗蚀油墨的场合，主要是找到对外物污渍溶解能力比较强，粘度比较高适合丝印的材料；而在一些制作精细图案使用光刻胶的场合中，则需要降低粘度，以得到足够薄的阻蚀层，为了得到比较副真的图案复制效果，又需要光刻胶材料具有比较高的表面张力，这就使得光刻胶与ITO表面的亲和力降低，因而对光刻胶的纯净度和ITO表面的洁净度有很严格的要求，以便能让光刻胶在ITO膜表面得到更均匀一致的浸润效果。这样一来，对ITO膜的表面处理、ITO膜和光刻胶的使用和保存环境，都相应有很严格的要求。
四、激光蚀刻法进行ITO图形制备
ITO具有反射红外线，吸收紫外线能量的特性。人们利用这两个特性制作了1055nm和355nm的激光器，进行ITO膜图形制备加工。
红外线激光加工是使ITO层在高温下汽化挥发，把ITO去除掉。紫外线激光加工让ITO层里的原子吸收紫外线能量后自己激化成离子，从ITO层表面不断逃逸，把ITO去除掉。
激光蚀刻法制作ITO层有比较严格的线距限制，在图形制备工艺中有相当大的局限性，对那些图形简单的产品如触摸屏、硅片光伏电池、薄膜开关等比较实用。当然，在其它使用ITO膜的产品中，也经常用来做为ITO线路短、断路修补使用。
由于激光发生器有一定的发射频率，为了提高生产率和保证ITO激光蚀刻的安全系数，一般会对激光光路进行差分补偿，防止激光死点造成的短路现象。
在激光加工方式中，大尺寸的ITO膜一般采用矢量图形激光切割ITO层的方式加工，小尺寸的除了采用矢量切割方式外，也有人使用振镜式图形点阵激光扫描雕刻方式进行快速加工。
激光加工是一种非接触性加工，对产品表面处理要求不高，产品表面更容易得到保护，产品品质更能得到保证。由于不用使用化学原料和消耗水资源，更符合环境保护要求，在包含电子信息业的各个产业中，得到迅速的发展和应用，慢慢在往主流加工方式靠拢。
