在7nm世代取得大捷后,台积电在上周的财报会议上表示,5nm的进度比7nm更顺利,产能也会提至新高。
关于3nm的技术细节,台积电尚未披露。至少三星方面称,FinFET(鳍式场效晶体管,华人科学家、前台积电CTO胡正明教授发明)会在4nm LPE之后走到尽头。他们提出的新解决方案是GAA MCFET(多桥通道FET),且有3 GAAE(GAA Early)和3 GAAP(GAA Plus)两代。
2010年,Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡正明发明的FinFET和FD-SOI工艺得以使摩尔定律延续传奇。