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华虹半导体宣布第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

手机报在线 2019-06-27 成为作者
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存储器技术华虹半导体分类：行业资讯
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华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域，通过不断的技术创新，第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%，再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。
 　　6月27日下午消息，华虹半导体宣布第三代90纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。
 
　　华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域，通过不断的技术创新，第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%，再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。
 
　　Flash IP具有更明显的面积优势，使得芯片整体面积进一步减小，从而在单片晶圆上获得更多裸芯片数量。与此同时，光罩层数也随之进一步减少，有效缩短了流片周期。而可靠性指标继续保持着高水准，可达到10万次擦写及25年数据保持能力。
 
　　近年来，华虹半导体在90纳米工艺节点连续成功推出三代闪存工艺平台，在保持技术优势的同时，不断探求更高性价比的解决方案。第三代工艺平台的大规模稳定量产，为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及微控制器(MCU)等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。
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