2024年全球储能逆变器MOSFET厂商TOP10

MOSFET作为一种功率器件,其性能直接影响BMS效率与响应速度。新一代MOSFET采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带材料技术,不仅开关速度快、导通电阻低,还具有更高的工作温度阈值,使BMS能够在更宽的工作范围内实现高效能的电能管理,减少热损耗、提升系统整体续航能力。
 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率,及直流交流转换等。只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中,都会用到功率器件。

 

基本上,功率半导体大致可分为功率离散元件(Power Discrete)与功率积体电路 (Power IC)二大类,其中,功率离散元件产品包括MOSFET、二极管,及IGBT,当中又以MOSFET与IGBT最为重要。

 

英飞凌、安森美、瑞萨、意法半导体等海外厂商在MOSFET领域占据较大市场份额,但是就中低压类型的MOSFET而言,国产厂商与海外厂商技术实力接近,竞争优势不小。

 

潮电智库此前发布了2024年全球储能逆变器IGBT厂商TOP10,在行业中广为流传,获得一致称赞,至此潮电智库经过走访调研制造出2024年全球储能逆变器MOSFET厂商TOP10。也由于优秀企业过多,欢迎未上榜企业联系潮电智库数据研究部门。

 

 

MOSFET是电池管理系统(BMS)使用的器件之一,通常一个BMS模块中使用多颗MOSFET,BMS被看作是电池组的守护者,负责监测电池状态、均衡充电、保护电池免受损害。

 

在智能化浪潮下,BMS通过精确的算法预测电池健康状况,还能根据实时工况动态调整充放电策略,最大化能量利用效率。这一转变要求BMS具备更高的计算能力和更精细的数据处理能力,同时对功率器件提出了更高要求。

 

MOSFET作为一种功率器件,其性能直接影响BMS效率与响应速度。新一代MOSFET采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带材料技术,不仅开关速度快、导通电阻低,还具有更高的工作温度阈值,使BMS能够在更宽的工作范围内实现高效能的电能管理,减少热损耗、提升系统整体续航能力。

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