近日最大的ITO钯材高纯铟供应商株洲科能新材料股份有限公司(以下简称“株洲科能”)科创板IPO获上交所受理，本次拟募资5.88亿元。本次拟募资用于年产500吨半导体高纯材料项目及回收项目、稀散金属先进材料研发中心建设项目、补充流动资金。

根据中国有色金属工业协会稀散金属分会统计的数据，近年来株洲科能高纯铟产品国内市场占有率达50%左右，生产规模、产销量、产值位居全国第一位；株洲科能纯镓产品国内市场占有率达20%左右，市场占有率国内第二，具有较高的市场认可度。株洲科能也已发展成为全球高纯镓、高纯铟材料的主要提供商之一，产品技术性能整体处于国内领先水平，先后成功配套Freiberger、AXT、Wafer、5NPlus、Rasa等全球主要化合物半导体厂商，系全球化合物半导体领域领先企业Freiberger的高纯镓主要供应商以及Wafer在中国境内高纯铟唯一供应商，同时高纯镓、高纯铟已基本覆盖三安光电、苏州纳维、云南鑫耀、浙江康鹏等国内近些年兴起的主要化合物半导体厂商及中国科学院半导体研究所等科研单位，以及隆基绿能、江苏协鑫等国内领先的太阳能电池P型硅片生产企业。

据了解株洲科能为国内领先的ITO、IGZO等靶材用铟提供商，占据国内市场主导地位，基本覆盖全球主要的ITO、IGZO靶材生产厂商，核心客户包括三井金属、ANP、光洋科技、隆华科技、阿石创、映日科技、河北恒博等国内外下游行业主要知名厂商，系ITO靶材全球领先企业三井金属在中国境内的唯一供应商。

株洲科能表示高纯度镓、铟等稀散金属是化合物半导体、ITO靶材的关键基础材料，其品质对化合物半导体、靶材合成影响重大。由于化合物半导体及靶材行业的知名企业多位于境外发达国家，导致株洲科能所处的高纯度稀散金属行业呈现国际化竞争格局，市场份额主要由IndiumCorporation、Dowa、Rasa及5NPlus等境外知名厂商及广东先导、株洲科能等少数国内企业占据。上述境外知名厂商因进入行业时间早、配套下游行业知名客户多，其技术水平、研发能力及产能规模较国内厂商具有明显优势。

株洲科能的高纯产品主要包括高纯铟、高纯镓等，可应用于磷化铟、砷化镓等化合物半导体衬底以及太阳能电池P型硅片，广泛应用于新一代显示、无人驾驶、人工智能、5G通讯、新能源等体现未来国家竞争力的重点领域。公司通过多年的深入研究，成功开发了“选择性定向挥发真空冷凝技术”、“多模式电磁场调控定向凝固技术”、“循环高效电化学技术”等核心技术，实现了高纯铟、高纯镓中杂质元素的深度脱除，量产纯度可达到8N；自主研发了高纯铟、高纯镓自动化生产设备，实现了生产过程的自动化，参数控制更加精准，大幅提升产品一致性及稳定性。

鉴于株洲科能在高纯镓、铟等稀散金属制备领域整体技术领先、成套技术和装备自主可控，实现高纯镓、铟等规模化生产，质量稳定可靠，产品一致性好，供货能力稳定，交付及时，公司已与Freiberger、AXT、Wafer、5NPlus、Rasa等国际知名化合物半导体企业以及三安光电、苏州纳维、云南鑫耀、浙江康鹏、珠海鼎泰、中国科学院半导体研究所等国内主要化合物半导体生产、研究单位形成了稳定的业务合作关系。

株洲科能靶材用电子级稀散金属产品主要包括靶材用铟、氧化铟及氧化镓等，可应用于ITO靶材、IGZO靶材，广泛应用平面显示、太阳能电池、节能玻璃、半导体等终端应用领域。公司通过多年的深入研究，成功研发了“无杂质致密电沉积技术”，解决了金属铟生产过程硫、氯等杂质元素不容易脱除的难题；开发了一系列真空除杂设备，实现了高纯金属中杂质元素的高效靶向脱除，与传统的化学法相比，具有生产效率更高、环境污染极小等特点。公司依托自主开发的“超临界水氧化技术”，解决了高温高压下水对容器的腐蚀、无机盐结垢、氧化镓的粒度和形貌不可控等问题，保证了氧化镓材料高纯度、粒度均匀及形貌的稳定性。

ITO靶材生产过程包括金属提纯和靶材制造两个核心环节。因高纯金属原料的品质影响靶材的导电性能等性状，对最终成膜的质量有较大影响，且靶材种类繁多，客户需求非标，定制属性明显。故而金属提纯环节技术壁垒及附加值均较高。

其中铟属于稀散金属，因其具有可塑性、延展性、光渗透性和导电性等特点，而以化合物、合金的形式被广泛应用。目前，铟的主要应用领域是平板显示领域，包括ITO靶材及新兴的铟镓锌氧化物（IGZO）靶材，占全球铟消费量的80%；其次是半导体领域、焊料和合金领域、太阳能发电领域等。生产ITO靶材对于铟的纯度要求一般在4N5及以上，生产化合物半导体材料对于铟的纯度要求则更高，一般在6N及以上。

2020-2022年，全球精铟产量分别为1,879吨、1,920吨和2,012吨，基本维持稳定，其中原生铟产量分别为834吨、904吨和897吨。中国作为最大的原生铟生产国，原生铟产量分别为404吨、429吨和442吨，占世界总产量的50%左右。

平面显示面板生产是ITO靶材当前的主要需求领域。在平面显示面板的生产工艺中，需要使用ITO靶材在玻璃基板上形成ITO薄膜。异质结太阳能光伏电池在制备透明导电膜阶段需要应用ITO靶材，是ITO靶材未来需求的增长点。

受益于全球平面显示面板出货面积稳步增长以及异质结太阳能电池产能逐步提升，ITO靶材需求整体呈现上升趋势。根据中国光学光电子行业协会液晶分会的数据显示，2019-2021年国内ITO靶材市场容量从639吨增长到1,002吨，年复合增长率为25.22%，在2022年之后预计国内市场也将稳定增长至2024年的1,210吨。

从国内ITO靶材市场竞争情况看，我国仍对进口的依赖程度较高，日韩企业占据了国内市场的主导地位，如三井金属、JX金属、KVMaterialsCo.,Ltd.（原三星康宁靶材事业部）、ANP等占据了较大的市场份额。

近年来，随着国家政策的鼓励与资金的支持，部分企业已经突破了关键技术门槛，国产ITO靶材领域涌现出隆华科技、广东先导、映日科技、阿石创等国内ITO靶材领先企业。随着JX金属于2023年3月宣布不再生产ITO靶材产品，未来国产靶材将逐步扩大国内ITO靶材市场份额，进一步改变国内高端平面显示用ITO靶材产品长期依赖进口的局面。

株洲科能认为，近年来受国际经贸关系影响，部分国家采取技术封锁、出口管制、贸易制裁等手段打压限制我国半导体产业的发展。株洲科能的高纯铟、高纯镓产品主要应用于制备磷化铟、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。磷化铟、砷化镓作为第二代半导体材料，具有禁带宽度大、电子迁移率高等特点，是当今信息技术的重要支撑之一，是射频微电子和各类光电子器件的核心基础材料并广泛应用于雷达、精确制导、卫星通讯、5G等微电子领域以及各类激光器、探测器等光电子领域。

随着信息技术的发展，应用端向更高峰值功率、更宽带宽以及更高频的方向进化，对相关器件的频率、击穿漏电等性能的要求也不断提升，进而对磷化铟、砷化镓衬底及外延片材料提出了更高要求。

影响上述器件性能的一个重要技术指标便是衬底和外延材料的纯度，特别是外延材料，要求的背景载流子浓度小于1014cm-3级。影响外延材料背景载流子浓度的首要因素就是高纯铟、镓、砷、磷等原材料的纯度，在此背景载流子浓度要求下，原材料中的某些会产生导电载流子的杂质（如硅、硫、锌以及氧、铁、镍等）含量需要控制在10ppb以下。因此，7N5及以上纯度的超高纯铟、镓等原材料，将成为化合物半导体器件发展的重要支撑，未来，实现高纯及超高纯稀散金属等关键基础原材料的“自主可控”对于保障国家电子信息材料产业基础安全具有重要意义。

未来株洲科能将积极把握化合物半导体、新能源等产业良好的市场发展机遇，加快“年产500吨半导体高纯材料项目及回收项目”等募投项目的实施，进一步提升高纯铟、高纯镓等主要产品产能规模和市场占有率，加快形成原料、产品、尾料回收的绿色循环产业链。