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三星悄悄启动EUV 1ynm工艺的DRAM内存芯片研发

快科技 2018-06-19 成为作者
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DRAM芯片5G基带芯片分类：行业资讯
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三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。报道称，三星最快在2020年开始大量投产使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。
 　　作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。
　　
　　据Digitimes引述News1 Korea报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
　　
　　报道称，三星最快在2020年开始大量投产使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。
 
韩媒称三星已启动EUV 1ynm工艺的DRAM内存芯片研发
 
　　EUV光刻目前被三星、台积电、Intel等用于7nm工艺节点上，制造的普遍是AP（应用处理器）。三星曾表示，7nm LPP工艺将在今年下半年量产，明年上半年推出首款可商用的逻辑芯片。
　　
　　结合手头掌握的资料，高通已经确认其5G基带芯片将由三星的7nm代工。
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