三星28日上午在中国陕西省的西安工厂举行了第2生产线的开工奠基仪式。领导半导体部门的三星社长金奇南表示，“将向客户提供最好的半导体产品”。
三星将在2018-2020年的3年里投资70亿美元，按直径300毫米的硅晶圆计算，到2020年将该工厂的月产能提高至目前2倍，达到22万枚。2014年完工的第1生产线的投资额约1.05万亿日元。
有分析认为，由于希望向中国政府彰显地产地销的姿态，三星将在此生产能使数据容量飞跃式增加的“3D垂直堆叠NAND型存储设备”。
2017年韩国向中国(包括香港)出口了664亿美元半导体, 创出历史新高。在驻韩美军部署“萨德”反导系统问题导致中韩关系恶化、韩国汽车产业等遭受打击的背景下，半导体出口仍同比大幅增长68%。这是因为中国仍缺少制造先进半导体的技术。
但中国政府最近投入巨额资金，大力培育国内半导体产业。在不远的将来，DRAM型和NAND型2大存储器市场上，中国企业有望崛起。目前三星在这2种存储器领域全球份额居首。
三星希望趁着在面对中国企业仍具有压倒性竞争力的时候，与智能手机和数据中心等存储器主要客户加深联系，巩固盈利基础。为了进行危机管理，还有必要改变存储器工厂集中于韩国的现状。
围绕NAND型闪存，全球第2大企业东芝和第3大企业美国西部数据组建了联盟。西部数据最近决定，在3年时间里向与东芝共同运营的日本生产基地投资5000亿日元。与东芝的合计投资额超过1万亿日元。
随着两大阵营同时敲定巨额投资，NAND型闪存市场的竞争将越来越激烈。另一方面，NAND型闪存存在供应过剩风险。大型企业相继展开的大型投资有可能给坚挺的行情泼下冷水。
01月07日 18:14
