第一，关键核心技术缺失
国内5G 芯片产品研发面临国外专利封锁，部分关键核心技术缺失，如国外射频芯片和器件技术已经非常成熟，尤其是面向高频应用的BAW和FBAR 滤波器，博通、Qorvo 等企业已有多年技术积累，我国BAW和FBAR专利储备十分薄弱，自主研发面临诸多壁垒。
第二，制造水平依然落后
国内5G 芯片缺乏成熟的商用工艺支撑，整体落后世界领先水平两代以上。砷化镓、氮化镓等化合物半导体代工市场主要被稳懋、宏捷科技等台湾大厂垄断；格罗方德、TowerJazz等厂商则在锗硅和绝缘硅材料工艺方面技术领先。
第三，产业配套有待完善
5G 芯片关键装备及材料配套主要由境外企业掌控。设备方面，制造化合物半导体的关键核心设备MOCVD仍主要被德国爱思强和美国Veeco 所垄断，国内企业正在积极突破。材料方面，以日本住友为代表的企业在化合物半导体材料领域优势明显；法国Soitec 和日本信越等企业在SOI 晶圆材料市场占有率较高；封装用的高端陶瓷基板材料基本都是从日本和台湾地区进口。
第四，产业生态亟需营造
当前我国5G芯片设计、制造、封测以及装备材料配套等产业链上下游协同性不足，通信设备整机厂商和国外芯片厂商之间的合作惯性一时还难以打破，国内芯片缺乏与软件、整机设备、系统应用、测试仪器仪表等产业生态环节的紧密互动。
01月07日 18:14
