图：英特尔公司执行副总裁，制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith
“英特尔一直以来都是，并将继续成为推动摩尔定律向前发展的技术领导者，目前英特尔在制程工艺上保持着大约三年的领先性。”Stacy Smith进表示，英特尔推动摩尔定律不断向前发展，每一年都持续降低产品价格并提升其性能，这也是英特尔的核心竞争优势所在。
他提到，正是超微缩技术(hyper scaling)让英特尔能够加速推进密度的提升，借助节点内优化，产品功能每年都可以实现增强。据悉，英特尔10纳米制程工艺拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。
Stacy Smith指出，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。
对于业界探讨的“摩尔定律是否失效”的问题，Stacy Smith坚定的认为不会。“每一个节点晶体管数量会增加一倍，14nm和10nm都做到了，而且晶体管成本下降幅度前所未有，这表示摩尔定律仍然有效。”Stacy Smith解释道，“创新技术，可以保证摩尔定律长期有效。”
另外，现场还展出了经过展讯验证的英特尔晶圆代工业务14 纳米平台。英特尔14纳米制程采用第二代FinFET 技术，提升性能并降低漏电功耗。
英特尔高级院士马博(Mark Bohr)介绍了英特尔22FFL功耗和性能的最新细节。22FFL是在2017年3月美国“英特尔精尖制造日”活动上首次宣布的一种面向移动应用的超低功耗FinFET技术。英特尔22FFL可带来一流的CPU性能，实现超过2GHz的主频以及漏电降低100倍以上的超低功耗。此外，22FFL晶圆在本次活动上全球首次公开亮相。
据悉，与先前的22GP(通用)技术相比，全新22FFL技术的漏电量最多可减少100倍。22FFL工艺还可达到与英特尔14纳米晶体管相同的驱动电流，同时实现比业界28纳米/22纳米平面技术更高的面积微缩。22FFL工艺包含一个完整的射频(RF)套件，并结合多种先进的模拟和射频器件来支持高度集成的产品。
2017年6月，高通总裁里克·阿伯利曾表示，之前的处理器龙头Intel在10nm制程技术明显落后;高通方面也曾表示，骁龙835处理器采用的是三星10nm芯片制造技术，这意味着其移动芯片超过了个人计算机处理器。
在业内人士看来，一向低调的英特尔在活动当天不断提到友商的问题;从来不跟友商比较的英特尔还明确地跟三星和TSMC在10纳米技术上做对比。尤其在媒体采访环节，英特尔中国区总裁杨旭提到了制程节点命名的混乱，认为制程技术应该以实践进行度量;在媒体的追问下，他给出强势回应“老虎不说话(发威)，当我们病猫呢”。
最后，Stacy Smith认为，“我们在14nm上与竞争对手相比领先3年。可以看到友商晶体管密度并没有提升，友商10nm节点晶体管密度只相当于我们14nmd的晶体管密度。”
01月07日 18:14
