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经IC insights预测，DRAM和NAND存储器的销量预计今年将创历史新高，究其原因是因为产品平均售价（ASP）的快速增长。 具体来看，2017年DRAM的实际出货量预计会有所下滑，而NAND出货量仅增长2%，但足够推动闪存市场的增长势头。图中显示了DRAM、NAND的季度ASP增长率：从2016年第三季度开始到2017年第二季度，DRAM的平均售价（ASP）上涨了16.8%，NAND上涨了11.6%，保持了持续增长态势。
随着DRAM 平均售价的快速增长，DRAM 厂商将再次加大对这一领域的支出。然而，技术研发的投入占比远远大于量产的投入。IC Insights 预测2017年 所有闪存的支出将用于3D NAND技术而非2D闪存。因此今年在NAND闪存的最大投入来自三星，7月4日，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线正式投产，将生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备。
纵观历史态势，大量资金投入通常会导致产能过剩和定价疲软的情况出现。因此，三星、SK Hynix、Micron、英特尔、东芝/闪迪 和长江存储，都计划在未来几年内大幅度提升3D NAND闪存容量，这一轮将有中国的厂家加入进来。那么在未来几年内，产能过剩的现象极有可能再发生。
IC Insights数据显示，DRAM季度平均售价在2016年第四季度上升到22.8%（最高），一直到2017年第二季度仍呈现强劲上涨趋势。据IC Insights预测，DRAM ASP预计在2017年第三季度达到最高，在2017年第三季度开始小幅度下滑，标志着一个良性周期就此告一段落。
经预测，尽管今年下半年DRAM ASP的增长速度将会放缓，但DRAM ASP的年增长率仍将有63%，这比1997年的历史最高年增长率仍高出6个百分点，创下又一个历史新高。而2017年，NAND的年度ASP预计将增长33%，创历史新高。 (2000年，以 NOR Flash的 ASP上涨了52%。)
01月07日 18:14
