SK海力士准备将3D NAND Flash存储器的垂直通道薄膜复晶矽(Vertical Thin Poly-Si Channel；VTPC)电晶体闸极技术，用于新一代CIS上。该技术可改善背照式(Backside Illumination)CIS的暗电流(Dark Current)问题，并且提高像素密度。
由于暗电流问题在体积偏小的智能手机等移动装置上较难改善，智能手机的相机像素一直局限在1600万左右。业界积极开发以相位差对焦(Phase Detection AF)或直通硅穿孔(Through Silicon Via)方式，将影像信号处理(ISP)与CIS整合在一起的堆叠技术。
背照式CIS比前照式(Frontside illumination)CIS的光线损失较少，但光线经过彩色滤光片往光电二极体(Photodiode)移动时，周围像素会发生漏光的干涉现象。为此，三星电子(Samsung Electronics)的ISOCELL CIS采用隔离邻近像素的前侧深槽隔离(Frontside-Deep Trench Isolation)，让像素与像素之间有0.2微米距离加以解决。
SK海力士开发的新一代CIS将重点放在立体像素结构，让闸极成垂直排列，弥补因光电二极体面积缩小，连带使光线量也减少的缺点。
SK海力士把用在3D NAND Flash的VTPC电晶体闸极技术，针对CIS做最适化调整，使相同版型有更高像素密度，借此提高影像解析度，目前正在1.12微米背照式CIS进行量产测试。
另一方面，SK海力士准备在2017年底前完成相位差对焦技术研发，交由利川M10工厂量产1,300万像素CIS。M10工厂将使用12吋晶圆，与清州M8工厂8吋晶圆生产的一般CIS联合抢占市场。
01月07日 18:14
