新韩投资（Shinhan Investment Corp）日前发布报告预测，三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 兆韩圜（约 219.5 亿美元），较 2016 年成长 85.6%，且将超越 2015 年的 14.7 兆韩圜成为三星史上新高。
存储器目前供不应求，也是三星今年布局的重点，预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测，光是 NAND 快闪存储器，三星就将砸下 12.05 兆韩圜（约 108 亿美元），非存储器部门（包含晶圆代工）则占 8 兆韩圜。
业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂 17 线的 DRAM 产能，生产 10 纳米等级的 DRAM。三星已告知设备厂扩产计划，并在 3 月向部分业者下单，估计投资金额约为 2.5——3 兆韩圜，完工后每月增产 3.5 万片 300 公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。
三星华城厂为综合晶圆厂，17 线生产 DRAM、11 线生产影像传感器和 DRAM、16-2 线生产 3D NAND flash、S3 线生产 10 纳米系统半导体。
三星 NAND 快闪存储器量产技术领先，分析师看好三星借由新增投资，可趁机扩大市占率。市调机构 DRAMeXchange 数据显示，三星 2016 年第四季 NAND 存储器营收市占达 37.1%，遥遥领先第二名东芝的 18.3%。
市调机构 IC Insights 月初公布报告指出，如果存储器持续涨价，三星最快于第二季取代英特尔成为全球半导体龙头。
01月07日 18:14
