英诺赛科（珠海）单晶体新材料研发生产基地上，建材堆积、尘土飞扬，工人们要赶在近期完成主要厂房的内部装修，以便从4月起陆续进驻大量生产设备。“预计5月20日厂房将达到生产条件，经过数月调试后，年内可投产。”该基地建设施工负责人告诉记者。
位于珠海高新区的英诺赛科单晶体新材料研发生产基地是全市产业领域的重点项目，计划投资10.9亿元。未来，依靠英诺赛科世界首创的SGOS（锗硅晶体在蓝宝石衬底上的外延生长）技术，珠海有望诞生全球顶尖的半导体产品。
四国专家组成研发团队
据悉，英诺赛科公司总部位于美国，专注第三代半导体材料的研发和生产，与世界领先的航空航天机构有着稳定良好的合作关系，目前有26项科技成果获得国际专利，并有其他40多项成果正在申请国际专利。其中，珠海公司是英诺赛科在中国落地的第一站。
英诺赛科珠海公司董事长骆薇薇主攻应用数学专业，曾在NASA（美国宇航局）工作多年，如今正为这家年轻的科技创业公司奔忙。“第三代半导体材料技术是目前全世界都非常关注的一种技术，也是我国科技创新亟待突破的基础领域。”骆薇薇说，公司拥有国际上革命性的半导体晶圆片生长技术，也有最顶尖的科研团队。据了解，半导体材料研发生产的技术含量很高，需要不同领域的专家参与研发。目前该公司核心团队由中、美、德、韩四国专家组成。
骆薇薇介绍，英诺赛科自主研发的SGOS（锗硅晶体在蓝宝石衬底上的外延生长技术）属于全球首创。“形象一点来说，这项技术就是将不同结构的晶体‘融合在一起’，让它们同时‘生长’，最终长出集合不同晶体优势的高性能单晶。”
基于这项技术生产出的半导体材料性能优良，可以用于制作各类芯片，芯片运行速度会比现在的主流产品快2至5倍。一旦量产成功，不仅可改变当前晶圆技术依赖国外的局面，还有望提升我国半导体材料产业的技术竞争力。
骆薇薇表示，英诺赛科珠海公司未来将致力于研发、生产和销售半导体外延晶圆片、芯片、功率器件等，其生产的晶圆片能广泛应用于车载设备、医疗设备、太阳能设备、卫星通讯设备乃至部分军用设备等。
达产后年产值将达3.5亿元
为了加快实现半导体材料大规模量产，早在2015年12月落户珠海时，英诺赛科就计划投入10.9亿元在高新区建设单晶体新材料研发生产基地。去年6月底，项目正式动工。
该基地占地约1.4万平方米，总建筑面积约2.5万平方米，包括厂房、设备用房、宿舍、综合动力站。其中，该基地洁净厂房按照世界最高级别标准设计和建设，局部洁净度达到10万级，这样的“无尘车间”已达到食品和部分药品生产厂房标准。
“目前主体工程已完工，正在进行内部装修和智能化系统安装。”该基地建设施工负责人表示，按照规划，英诺赛科珠海公司一期将引进近80台生产设备，于4月至5月陆续进驻；到5月20日，整个基地将达到生产条件。经过几个月的调试，该基地将于年内投产，“快的话，可能第三季度就能投产”。目前，英诺赛科珠海公司共有40多名员工，预计正式投产后，这一数字将翻3倍。
“英诺赛科研发生产中心综合运用了世界最先进的设计理念，建成后将成为本地区最先进的生产研发基地，我们会在这里生产全世界最顶尖的半导体产品。”骆薇薇说，预计一期达产后，公司年产值将达3.5亿元。南方日报记者陈晓
01月07日 18:14
