在非存储器（晶圆代工／IDM） 12吋晶圆产能部分，主要有4家中国厂释出新增产能的讯息。
（1）中芯于上海规划新增月产能7万片的14——7nm产能，深圳新增4万片的65——55nm产能。
（2）华力微于上海规划新增4万片的28——14nm产能。
（3）德科玛在淮安规划2万片CIS产能。
（4）紫光规划于成都兴建12寸厂。
由于自28nm制程开始，晶圆厂须采用难度较高的多重曝光技术（Multiple Patterning），是先进制程的基础，连带牵动先进制程（28nm以下）的发展进度，2016年底中芯28nm营收占比仅有3．5％，显示其制程良率的控制能力稳定性仍不足，将影响28nm以下制程进度，2018年底中芯14nm很可能处于试产状态。
而华力微新厂于2016年底动土，因此即使发展顺利，也要2018下半年才有机会进入试产。而紫光虽释出兴建12寸厂讯息，但未有详细动工时间，估计2018年尚不会有产能释出。
因此2018年中国企业规划的新增产能将可能难以达成，预期下修至7．2万片，其中中国厂商的先进制程（28nm含以下）产能约1．2万片，占新增产能近17％，估计2018年中国自主非存储器产能将占全球非存储器产能比重约6．7％。
存储器部分，共计4座新厂进行投产。
（1）晋华以25nm制程为目标规划12万片DRAM产能。
（2）长鑫科技于合肥规划月产能达12．5万片存储器芯片产能。
（3）长江存储于武汉规划新建3D NAND晶圆厂，预计于2020年达到月产能30万片。
（4）紫光则释出将于南京建立月产能10万片的晶圆厂，主要生产存储器芯片。
从晶圆厂动土到进行试产一般约18个月，实际量产时间则是各企业的技术能力及量产经验而定，除了紫光尚未释出实际建厂进度外，晋华于2016年底开始动土，2018下半年才有机会进行试产，此外25nm需用双重曝光技术（Double Patterning）及浸润式曝光机（ArF——immersion），制程难度大幅提升，将影响实际产能开出的进度。
而长鑫的新厂动土时间规划于2017下半年开始，估计2018年底尚不会有产能开出。
长江存储则正规划发展32层垂直堆叠的3D——NAND，预计2018年底将可问世，预计总产能将达到约5万片。
因此2018年中国厂商规划的新增产能或将难以达成，预期下修至9万片，估计2018年中国自主存储器产能将占全球存储器产能比重约4．4％。
01月07日 18:14
