那么我们不禁要问，Intel的10nm怎么了？
先就本次投资会议，Intel表示，数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾证实，搭载10nm芯片笔记本产品会在今年底出货。
这其实不难理解。由于8代酷睿还是下半年上市，局面很可能是对i7/i5/i3进行换代，对用户选购U/Y系列的10nm笔记本芯片以及大客户的Xeon不造成冲击。
同时，Intel再次对手的10nm做“看扁”，毫不掩饰对自家14nm优秀的自豪。
根据Intel的PPT，就逻辑单元这一核心指标来看，它们2014年研发出来的第一代14nm FinFET（即Broadwell所用）和去年三星/台积电的10nm看齐，也就是Intel 14nm=三星10nm,Intel领先了整整三年。
按照IEEE Spectrum上Intel高级院士Mark Bohr的说法，Intel 10nm的栅极间距是54nm，也是同时代10nm最强。
传言，Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。
综上，Intel的10nm今年底会有成片登陆市场，在工艺指标上其实就相当于对手的7nm了。
01月07日 18:14
