NAND产能供不应求 涨价将持续到第四季度
近来，据外媒报道，有业界人士称，在iPhone7所配备的256Gb存储容量的强劲需求带动下，NAND将可能出现供不应求的情况，其价格可能继续上涨到今年第四季度。此外，该媒体还表示，这或许导致iPhone7最终的零售价可能会因此提高。
据了解，苹果的NAND主要来源于三星电子和海力士，不单是256Gb的NAND价格会增加，此外，据称iPhone标配版NAND容量也会有所增加，价格也会有所上涨，这也就是说，iPhone7的价格最低可能也会高于当前iPhone6s的5288元的售价。
NAND市场像其他手机配件市场一样，受到苹果的影响都比较大，去年苹果占据NAND市场份额的15%。据国内某知名ODM厂商人员表示，它们已经接到NAND价格上涨的通知，至于涨幅程度其并未透露。在他看来，此次NAND涨价的原因很大一部分在于iPhone7启动拉货，其次是供应端减少了，简而言之，就是iPhone占据了很大一部分货源，而且NAND供应商也减少，这是导致NAND价格上涨的主要原因。
在排名前三的某NAND生厂商人员看来，NAND价格上涨并非因为DRAM产能过剩亏损，主要有三个原因：第一是现在的NAND厂商都在从2D NAND向3D NAND转型，而且良率并不是很高，这也就是说在一定程度上限制了产能；其次，今年SSD市场发展很不错，占据了很多NAND产能；三是iPhone7把容量提高了，这是预期之外的事情。
值得一提的是，今年6月份期间三星位于西安主要生产3D NANDFlash的半导体工厂曾因周围的电厂爆炸导致停产，当时三星对外宣称会受到一些影响，占比约10%，同样也有业界人士认为，当时电厂的事故已经对三星的NAND供应量造成了不小的影响。
至于iPhone7是否会因此涨价，在上述ODM厂商人员看来，iPhone7并不会因此而涨价，应该还会维持在之前的价格档，甚至还会稍微降低一点。对于该人员认为iPhone7价格可能还会稍微降低，从今年来iPhone的销售情况来看，或许存在这个可能性，而且从目前关于外界流传的关于iPhone7的信息来看，其并没有很大的吸人之处。而且其业务下降，例如2016年第二季度，其在大陆地区的市占率已经下降排名到第六，同比下降了21.7%。同样，NAND厂商人员也认为iPhone7并不会因为NAND价格的上涨而上涨，因为苹果的价格体系已经很稳固了，此外NAND的价格只能说是反弹，并不会因价格的上涨就会对苹果的成本造成很大的影响。
对于此次NAND价格涨价，早在7月份底就有消息称NAND的价格暴涨22%，日经新闻当时报道称，由于中国智能手机厂商纷纷提升手机功能，带动NAND需求大大增加，导致6月份的批发价在一个月内就涨了22%，其中MLC类型的64Gb NAND价格上涨到每片2.75美元，其中甚至有部分交易的价格已经超过3美元，进入到7月份以后继续涨价，而如今到了8月份，从上述两任业界人士得到的信息，8月份NAND的价格将一如既往的上涨。
这也就是说，从6月份截止到目前，NAND的价格已经持续三个月上涨的趋势。再者接下来的第三季度将会是手机新品发布的高峰期，这将会加剧NAND缺货现象，致使价格进一步提高，这将促使今年NAND整体出货量预计增加三成超过100亿片。当然，如果iPhone7的销售量最终并不如意的话，那么NAND的价格可能会从明年第一季度开始回落，这和当前的面板一样。
3D NAND为下阶段目标 各大厂商各显神通
从产业格局来看，SSD具有相对稳定、告诉、寿命长低功耗等优势，促使其成为各大内存厂商竞争热点，此外，由于2DNAND受到工艺的限制，导致其在15nm后很难再有进展，所以目前的NAND厂商都看向3D NAND，包括三星、东芝、美光、海力士、英特尔、WesternDigital以及大陆都在大力从2D NAND向3D NAND转型，国内被紫光收购了的武汉新芯也努力在往3DNAND方向发展。
首先是三星，三星在DRAM方面是全球老大，不管是出货量还是工艺制程都走在行业前沿，其在2016年第一季度的NAND销售同样创下了历史新高，稳坐全球第一的宝座。据IHS表示，三星第一季度与去年第四季度相比成长3.1%，总销售额达到26.15亿美元，增幅更是整个NAND市场的两倍，市占率从也去年第四季度的42%上涨到42.6%。
在3D NAND方面，三星从2013年就开始制造，目前仍是唯一量产48层3D NAND的厂家，尤其是随着东芝、美光、海力士等厂商在3D NAND发力之际，原本三星计划在2017奶奶下半年开始在韩国平泽市量产64层3D NAND，但是随着目前NAND紧缺以及对手加强市场布局，三星更是宣布从今年第四季度开始量产64层3D NAND，一如既往的抢在市场前沿。
东芝则以28%的市占率排名第二，与去年第四季度相比，其也增加了4%。在2016年春季就已经开始量产48层的3D NAND，并且从7月中旬开始，其位于日本三重县四日市的半导体二厂也已经启动，主要用于2D NAND向3D NAND转型，今后也将用于64层3D NAND的生产，今年年底的月产能有望达到4万片。
而且东芝可谓是把宝都压在了3D NAND上，其计划到了2017年3DNAND占据全部NAND出货量的50%，到了2018年更是提升到80%。不过，从市占率来看，东芝与三星还有一定的距离，如果说东芝想追赶三星的话，那么要走的路还很长。三星早于2013年开始做3D NAND了，但是东芝是今年春季才开始做，两者技术差距不可避免，其最大的区别在于控制闸技术，三星采用的是TANOS，而东芝采用的是SONOS，东芝的技术虽然有利于多层堆叠，但是其工艺制程比较复杂，而且生产力也低，这就意味着良率低成本高。所以说东芝试图在64层3D NAND市场超越三星，至今仍不好判断。
美光排名第三，其市占率为18.8%。不过在3D NAND市场，美光距离三星和东芝的距离还是有点远，美光计划今年9月份推出48层的3D NAND芯片，主要定位于中高端智能手机，目前已经送样，至于64层的3D NAND，美光至今还没发布研发时程。据美光预估，到了2020年，智能手机内建的内存或许会达到1TB，与笔记本电脑一个级别。
海力士则以10.6%的市场份额排名第四，海力士除了现有的M11和M12工厂生产3DNAND以外，其M14工厂也将从2017年第一季度开始量产。早在今年年初，就有消息称海力士投资4500亿韩元在韩国忠清北道青州市兴建新的工厂，且已经与当地政府签署好合作备忘录，青州市政府将为海力士提供2万5千平方公尺的土地，据相关人士透露，该工厂预计将于2018年动工，并于2019年投产，据数据统计，为全力冲击NAND市场，两年内海力士大力投资使得产能提高了近两倍。
WesternDigital也奋力跟进，上个月其就对外宣布，已经成功开发下一代3D NAND技术的BiCS3，具有64层垂直储存性能，该技术是由其与技术和制造合作企业Toshiba共同研发，该新技术产品将会在日本四日市的合资晶圆工厂进行试产，预计将会在今年稍微开始正式量产，不过，据WesternDigital估计，真正开始商业量产可能要等到2017年上半年。
值得一提的还有英特尔，英特尔大连工厂原本技术生产65nm的CPU，但是由于看好3D NAND，该12寸工厂早于2010年就已经完工，最终英特尔与大连政府签署协议，投资55亿美元将该工厂改建成生产3D NAND，初期月产能约为3万到4万片。
与此同时，英特尔已经和美光结成联盟推广3DXpoint，而三星和IBM、海力士、东芝则主要力推MRAM，从NAND下一代发展的方向来看，美系厂商与日韩厂商已经截然走向了两个不同的方向。
从上述各大内存厂商的布局可以看到，从今年年底到明年上半年，NAND市场的产能将会大幅度增加，到了明年下半年，则可能需要谨防产能过剩。当然国内NAND也不甘落后，NAND一直以为都是国内的短板，原为NORFlash大厂的武汉新芯被紫光收购后，通过两者资源的整合，势必使得中国内存产业得到进一步的发展，在3D NAND方面，今年3月在国内大基金的投资下，武汉新芯也兴建了3D NAND工厂，不过预计要到2018年才能量产，而且还局限在32层。此外，从2016年第一季度市占率来看的话，前四家占据了市场的%，所以说国内3D NAND突围之路依然是“路漫漫其修远兮”！
01月07日 18:14
