三星、美光、力成等业者昨日指出，对后续供货情况不会有太大影响。但存储器业界人士表示，半导体业界在过去10年当中，有关存储器晶圆厂或封测厂发生电力闪断的事件后，都出现供货吃紧问题，因为半导体设备机台跟电脑一样，电力闪断就好像插头拔起几秒再插回一样，设备就会当机或参数跑掉，至少也要1～2周时间才有办法回复原本正常运作。
所以，通路商预期后续DRAM及NANDFlash供货可能吃紧，昨日均开始提高库存水位，根据台湾、香港、深圳三地的昨日现货报价，NAND随身碟及存储卡价格涨幅最大，32GB/64GBUSB3.0随身碟公板价格涨幅达5～10％，16GB/32GBMicroSD卡价格涨幅达3～5％，32GB/64GBMLC规格NANDFlash芯片涨幅达1～3％。在DRAM部分，深圳地区DRAM模组平均涨幅达3～5％左右，DDR3颗粒价格则出现1％左右涨幅。
集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange则表示，第3季NANDFlash供货吃紧的态势愈发明显，TLC规格晶圆与存储卡价格自4月初以来已连续3个月份逐步走扬，由于时间上已进入智慧型手机备货旺季，三星西安厂短暂跳电导致供不应求预期心理，将导致第3季NANDFlash市况火热。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NANDFlash原厂持续降低对于通路的供货比重，来满足eMMC/eMCP、固态硬碟（SSD）的需求，并同时积极转进3DNAND，让2DNAND的产出持续下滑，因此现货与通路市场的货源更显紧缩。DRAMeXchange预估2016年第3季的TLC晶圆及存储卡现货等价格将持续调涨，第4季的NANDFlash的市况将视苹果新一代iPhone与其他品牌智慧型手机新品上市后的销售力道而定。
集邦指出，西安18日变电站爆炸，使三星西安厂短暂停电数秒，在工程师抢修设备，并快速进行线上晶圆损害清查后，目前部分产能已恢复生产。杨文得指出，依照事发当日部分产能已能恢复生产的进度来看，此次停电对三星NANDFlash的产出影响有限，预估当日其线上受损晶圆（Wafer-In-Process）片数约略在1万片以内，此缺口透过增加投片及缩短部分制程可以弥补，但此事件恐将加深第3季NANDFlash供不应求的预期性心理。
01月07日 18:14
