7月3日消息，福州中级法院裁定对美国芯片巨头美光发出“诉中禁令”，美国部分闪存SSD、内存条DRAM，可能将暂时遭禁止在中国销售，而这是中国发展半导体被指称“窃密”和“侵权”以来，首次成功重拳回击。

　　

　　联华电子总裁Jason Wang在一份声明中说：“联华电子对今天的决定感到满意。联华电子在其知识产权方面投入巨资，并积极追求任何侵犯联华电子专利的公司。”

　　

　　

　　全球存储芯片企业查无中国

　　

　　存储芯片可能不像处理器和MCU那样受到重点关注，但是也不要忽视一个小小的存储芯片，我们日常生活中的电脑，手机和可穿戴设备等许多电子产品都要用到存储芯片，想想这些电子产品的数量，可想而知存储芯片的数量有多么庞大，由此产生的经济也很可观。

　　

　　据了解，目前的全球存储厂商的第一梯队被三星、海力士、力晶科技、东芝和美光科技等占领，完全看不到中国厂商的身影，几大巨头企业占据了几乎存储行业的全部市场份额。

　　

　　近两年，内存价格的疯涨，让中国很多企业苦不堪言，研发生产属于中国的内存产品，不仅是为了中国企业省钱，也关系到中国企业能否冲击全球的高端科技行业。近些年来，集成电路、存储芯片等产业在政府的大力扶持下，虽然和巨头企业在技术上还有很多的差距，但中国企业正在努力追赶。

　　

　　有专家认为，我国在发展存储芯片产业时，优先考虑发展内存，无论是在产值还是技术难度上，内存都是最佳的选择，而且有积累的经验。经过多年的发展，我国内存厂商已经出现在了内存市场，包括紫光、合肥长鑫、福建晋华等。

　　

　　

　　国产存储三大阵营的进度

　　

　　有媒体报道，紫光总投资额达3万亿日元的湖北省武汉市半导体存储器工厂将于年内投产。在当地生产工厂即将建成，试制生产线的生产设备也开始进场。紫光集团计划今后10年投资1000亿美元。

　　

　　在4月份的合肥集成电路重大项目发布会上，合肥长鑫宣布12英寸存储器晶圆制造基地所需的300台研发设备已基本全部到位，待装机完成之后，从2018年下半年开始便全力投入试生产的环节。

　　

　　长鑫存储技术有限公司的董事长王宁国表示：合肥长鑫DRAM内存芯片一期（一厂厂房）已于2018年1月完成建设，并开始安装设备；2018年底就将开始生产8Gb DDR4存储器的工程样品；2019年底有望达到2万片/月的产能；2020年再开始规划二厂厂房的建设；2021年要完成对17nm工艺节点的技术研发。在将来，合肥长鑫希望凭借自身的DRAM IDM平台，来大力扶持处在行业上游的、国产半导体设备与材料的研发和产业化的进程。

　　

　　福建晋华和台湾代工大厂联华电子合作12 寸随机存取存储器（DRAM）生产线 ，预计于 2018 年下半年投入使用。总计将投入 53 亿美元，并将于 2018 年第 3 季正式投产，届时导入 32 纳米制程的 12 寸晶圆月产能，预计达到 6 万片的规模。

　　

　　中美贸易战和中兴事件为中国企业敲响了自主研发的警钟，没有自主研发的核心技术，就要永远受制于人。2018年是中国存储产业发展的重要节点，紫光、合肥长鑫和福建晋华的发展将对中国存储产业产生影响。虽然还没有和三星、海力士、美光等巨头企业的竞争能力，但相信中国三家存储企业的发展会对存储产业的格局产生影响。