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存储芯片是短板:“全球第一”的手机背后,国产存储亟待嵌入

康嘉林 逄丹 2018-07-11 17:35
存储芯片产业 阅读(47284)
导语我国手机产业短板之一的存储芯片产业正迎来新一轮洗礼。
   【通信产业网讯】(记者 康嘉林 逄丹)经历几年的发展,中国已成为全球最大的手机制造生产国。
  
  中国手机品牌在全球市场表现有目共睹。全球智能手机品牌出货量TOP10中,国内手机厂商占据7个席位。
  
  中国手机产业技术水平进步明显,产业链配套能力提升。LCD屏幕国内企业技术成熟,国内市场上超过85%的手机LCD屏来自国产品牌面板企业;OLED方面建立多条产线,京东方、和辉光电已有OLED产品出货;摄像头模组领域舜宇、欧菲光、丘太科技位列国内市场供货前三;指纹模组领域,欧菲光拥有苹果、华为、小米等多家国内外客户资源;手机后盖材料领域,苹果和三星的玻璃盖板基本来自伯恩光学和蓝思科技;在天线领域,信维通信是苹果的核心供应商之一。
  
  但是,我们也要清楚地认识到,在手机核心元器件方面,我国依赖国外企业的现象依然明显。
  
  “作为全球集成电路领域最大消费国,我国在一些核心元器件上却处于‘自制率较低’境遇。”赛迪顾问半导体副总裁李珂在接受《通信产业报》(网)记者采访时表示。
  
  而这种现状更尤其表现在手机存储芯片产业。
  
  手机存储是短板
  
  我国手机产业短板之一的存储芯片产业正迎来新一轮洗礼。
  
  近日,福建晋华和台湾联电各自发布声明,称因涉嫌专利侵权,福州中院发布“临时禁令”,要求美光停止在华销售部分DRAM和NAND产品。
  
  在此之前,媒体披露,由于涉嫌操纵哄抬内存价格,国际三大存储巨头三星、 SK海力士、美光遭中国反垄断调查,或遭罚款8-80亿元。
  
  而更早之前,去年12月,美光科技在美国加州提起民事诉讼,控告台湾联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。
  
  从诉方变成反诉方,从反诉方变成诉方,以及有关机构的介入,各方利益博弈的背后,隐藏着产业链的众生相,有需求者的无奈、领军者的得意、入局者的失落、监管者的警觉。
  
  但,更是暴露出我国存储芯片产业缺“芯”现状。
  
  实际上,每次手机发布会上被厂商着重泼墨的存储芯片,我国却一直依赖进口。
  
  统计数据显示,我国每年芯片进口额超过两千亿美元,其中,存储芯片占比接近50%。2017年,中国进口存储芯片889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。
  
  巨头垄断下的无奈
  
  用于智能手机里的存储芯片分为两大类,动态随机存储器DRAM和闪存NAND Flash。简单来说,手机厂商宣传的4GB内存对应的便是DRAM,32GB或64GB存储对应的是NAND Flash。这两大存储芯片市场长期被几家巨头垄断。
  
  在DRAM市场,三星、海力士、美光的市场份额分别为44%、27%、22%,三家合计占比超过90%;在NAND Flash市场,三星、东芝、西部数据、美光、海力士的市场份额分别是39%、16.8%、15.1%、11.3%、10.5%,五家占比同样超过90%。
  
  巨头垄断也意味着他们对于存储芯片的定价拥有着话语权。据悉,从2016年开始,DRAM的价格多次提高,2017年的价格涨幅更是高达40%。从今年年初到现在,DRAM价格涨幅开始有所下降,不到10%,但对利润空间本来就很小的中国手机品牌厂来说,承受着巨大的压力。
  
  反观三星,2017年,全球DRAM市场增长74%,规模达到722亿美元,“头部企业”三星、海力士、美光成为最大的受益者,销售收入也随之水涨船高。海力士2017年报显示,营收30.1094万亿韩元(约合1796亿元),同比增长75%;净利13.7213万亿韩元,同比增长319%。
  
  从专利突围
  
  “三大巨头能如此肆无忌惮涨价,是否也暴露出我们核心技术受制于人的窘境呢?”李珂一语道出问题关键所在。
  
  因此,对于技术受制于人的局面,专家直言,我们不能回避,只能借鉴和吸收国外先进技术,主动出击,实现破局。
  
  当前,我国存储芯片产业地图已经初步形成。既有投入NAND Flash市场的长江存储,也有专注于移动式内存的合肥长鑫,亦有致力于利基型内存的福建晋华。
  
  从三家厂商披露的信息看,各自产品已进入量产倒计时阶段。试产时间预计将在2018年下半年,量产时间则可能集中在2019年上半年。
  
  在国内存储芯片研发仍处于爬坡上坎阶段的时候,需要指出的是,无论DRAM还是NAND Flash,比拼的除了先进工艺和规模,更重要的是专利难题。
  
  这是因为,对于存储器产业,小小的一个零部件都有着严苛的专利保护。而这些专利往往掌握在巨头手中,巨头市场占有量又非常大。因此,要避开所有现有的专利来进行开发,挑战非常大。
  
  国家知识产权局知识产权发展研究中心研究员王雷就对《通信产业报》(网)表示,传统DRAM产品被大量专利保护。
  
  “即使中国厂商千辛万苦创新突破完成DRAM技术研发,但很可能还没有运作到量产阶段,就先收到巨头的专利投诉。”王雷指出。
  
  因此,在技术攻关之外,筑起专利护城河也是国内企业进入市场的重要手段。行业分析师付亮对《通信产业报》(网)记者表示,对于新进入者,唯一能做的就是扩大自身专利池。只有壮大自身实力把产品做好,始终坚持自主研发,当大家都是核心专利时,才有资格和他厂谈判,走专利互授权路线。
  
  福建晋华和台湾联电提起的专利侵权诉讼,便很好地佐证了付亮的看法,只有做好自己的专利池,才能在维护自身利益的同时对大厂进行反制。
  
  王雷还表示,除了庞大的资金投入外,企业在当前新形势下发展存储器产业,不应只是简单的追赶,而应该更加注重技术和市场的创新;应做好长期储备,在资金上确保持续投入;更重要的是要在立足自身市场特点的基础上追求世界领先水平。
  
  我国存储芯片产业正从边缘突破,形成技术优势,从而迈进市场准入门槛,乐观估计,5-10年内将改写存储芯片市场被国际大厂垄断的局面。
  
  记者手札
  
  用十年去打一场战役
  
  对于本次的议题采访良久,我们发现,业内人士普遍认为国产芯片生存比较困难,主要是业界不给迭代的机会。这是因为,一方面,市场已经存在性能优越的芯片,甚至成本也低。另一方面,人们没有耐心去等国产的芯片迭代,这直接限制了中国的芯片设计能力的提升。本来有很多人其实可以设计出很好的芯片来,但是由于市场的生态不给国产芯片迭代的机会,选择性忽视国产,所以国内公司也就不能、也不给工程师去牺牲的机会,这就是我们的问题所在。
  
  实际上,集成电路本身投资巨大,是回报周期非常长的一个行业。所以,针对我们的存储芯片行业,每个公司可能都要做到七到八年看不到盈利希望的心理准备。正如大家所说,我们必须要有用十年打一场漂亮战役的决心,才能成为最后赢家。(康嘉林)
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