原创专栏-手机报

8寸晶圆产能急缺MOS管和IC系列价格上涨20%

摄像头观察 2020-09-24 10:15
8寸晶圆 阅读(5501)
导语8寸晶圆的紧缺,已使得产业链出现了连锁反应,有厂商近期发布产品调价通告,称从2020年10月1日起对MOS管和IC系列产品价格作出相应上调,调整幅度为20%—30%。
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8寸晶圆的紧缺,已使得产业链出现了连锁反应,有厂商近期发布产品调价通告,称从2020年10月1日起对MOS管和IC系列产品价格作出相应上调,调整幅度为20%—30%。
 
  在半导体市场,8寸晶圆扮演者重要的角色,而它的短缺导致的产业链连锁效应正快速浮出水面。
 
  日前,观察君从供应链处获悉,有数家半导体厂商一致发布公告称,由于市场的变化,MOC管和IC晶圆紧缺,供需缺口不断扩大。为了维持正常运营,缓解成本上升的压力,根据原材料价格上涨的实际情况,从2020年10月1日起对MOS管和IC系列产品价格作出相应上调,调整幅度为20%—30%。
 
  对此,一位业内人士向观察君透露,上述现象和摄像头没关系,8寸晶圆一直比较紧张。同时有人也指出,这一波8寸晶圆代工产能异常吃紧的现象,除了有传统旺季效益在背后推波助澜下,近期中芯国际被美国政府点名的动作,也让原本就异常吃紧的供不应求缺口又继续扩大。
 
  10月1日起,MOS管和IC系列产品价格上涨20%
 
  据DIGITIMES报道,由于台湾半导体产业链意外引来转单与订单规模大增需求,不仅台积电12寸先进制程产能利用率满载,8寸需求除25nm制程,订单也满载手,二线厂世界先进、联电8寸产能同样供不应求。
 
  而近期已传出3大厂已调高代工价格10%—20%,客户依旧排队争抢产能。
 
  那么为何8寸晶圆会如此短缺呢?有人分析称,疫情蔓延下,汽车电子市况不佳,但各项终端消费电子产品需求逆势上升,另外在5G手机的升级加持下,电源管理IC、MOS管、超薄屏下指纹识别、传感器IC等需求大增,由于不少芯片仅需成熟制程量产,也使得8寸晶圆代工产能在上半年疫情危机与贸易战危机之际仍意外吃紧。
 
  不过,当产能紧张现象出现后,陆续的一系列连锁反应也随之出现。观察君发现一些晶片毛利率相对偏低的LCD驱动IC和MOS管由于量小、价格低等原因,在晶圆代工产能的争夺中往往属于较弱的一方。
 
  也因为此,MOS管和IC系列价格开始调涨,目前已有厂商发出了涨价通知。观察君获悉,9月18日、9月21日多家半导体厂商已先后率先发出涨价通知,而涨价的时间颇为一致均为10月1日起。
 
  9月18日,德普微电子发布了产品涨价通知,由于接到上游原材料供应商的涨价通知,导致产品成本不断上升,现决定从2020年10月1日起对产品价格进行相应调整,并称向其采购的8205在原有价格基础上,上调0.02元。
 
  9月21日,鑫飞宏电子发布产品调价函称,因市场变化,供应链前端晶圆上涨,交期延长,封装产能紧张,迫于各项成本压力,规定从2020年10月1日起8205所有新接订单及未交货订单,单价在原来基础上上调0.02元。
 
  同一天的时间里,又有厂商也发布了MOS管和IC系列产品价格上调的联络函。迪浦电子称,由于市场变化由于市场的变化、MOS管和IC晶圆紧缺,原材料价格急剧上涨,导致产品成本大幅上升,供需缺口不断扩大;为了维持正产运营,缓解成本压力,根据原材料价格上涨的实际情况,从2020年1月起对MOS管和IC系列产品价格作出相应上调,调整幅度为20%—30%。
 
  同一时间,同一原因,金誉半导体也发布了联络函,从2020年1月起对MOS管和IC系列产品价格作出相应上调,调整幅度为20%—30%。
 
  中国将投放9.5万亿发展半导体产业
 
  针对于晶圆紧缺的现象,有人称,近期不仅8寸晶圆产能一片难求,连后段封测产能也开始有塞车消息传出,由此凸显整个行业旺季效应,而在客户看到上游晶圆代工产能越吃紧,就越想抢货预屯晶片库存的动作下,预期8寸晶圆产能供不应求的缺口到2021年上半年都应该很难缓解。
 
  而就半导体产业来看,据统计2019年我国70%左右的芯片依赖于进口,因此才给了半导体行业具有显著优势的美国一个可以对中国卡脖子的机会。
 
  据了解,从半导体材料行业竞争格局来看,全球半导体材料产业依然由美国厂商占据绝对主导,而中国半导体行业的短板以及受制于人的地方,就是在上游。上游半导体原材料你被日本企业垄断了市场份额的65%,而在半导体制造设备方面位于前列的则是美国、日本和荷兰,其所占的市场总额达到了市场的九成。
 
  不过,中国现在正在不遗余力的扶持芯片行业的发展。日前,根据彭博社报道,中国准备制定一套全方位的新政策,2025年前将投放9.5万亿人民币(1.4万亿美元)发展本国半导体产业。
 
  而近期,据国家新材料产业发展专家咨询委员会委员介绍,国家2030年和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。据资料显示,与第一、二代半导体材料相比,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性,可以实现更好的电子浓度和运动控制,特别是在苛刻条件下备受青睐,在5G、新能源汽车、消费电子、新一代显示、航空航天等领域有重要应用。
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