同样是在2018年9月，东芝与西部数据合作计划在日本四日市开始新产线的量产，而这是东芝第五个产线，除此之外，两家公司在日本北部的北上市建造了一座新的工厂，计划生产3D NAND。

 

　　不过，6月21日，据媒体报道称，东芝与西部数据合作的位于四日市的NAND芯片工厂，由于停电造成部分产线停摆，停工的产线已经5天暂时还未恢复。而在日前，美国存储芯片大厂美光也由华为事件而导致延迟新厂投资计划！

 

　　据外媒报道称，预计在2019年内进行IPO上市的东芝存储（TMC），传出其位于日本三重县的四日市工厂，于日前发生了停电意外。据传这起停电意外造成部分产线停工，在截至周四20日为止，停工中的产线仍未能复工。而此起意外，也势必对该公司的业绩造成影响，并可能造成IPO上市时程的延误。

 

　　日媒指出，根据日本中部电力说法，当地在日本时间6月15日的下午6点25分发生了停电意外，并在约13分钟后恢复正常供电。受到此起停电意外影响的TMC四日市工厂，是该公司生产NAND快闪存储的主力工厂。产线使用12寸（300mm）晶圆，主要产品为3D-NAND快闪存储。

 

　　对此，与TMC合作密切的NAND闪存储控制芯片厂群联电子在20日晚间表示，该公司目前尚有充足库存，可应付短期的急单需求，以及2到3个月的生产接单需求。而对于TMC四日市工厂的停电传闻，群联方面则是没有发表评论。

 

　　群联表示，除了TMC之外，该公司与威腾、SK海力士、英特尔等厂，在存储的供应方面均有长期的合作协议。该公司会定期的向国际大厂采购NAND快闪存储，并借此分散对特定厂商的依赖。

 

　　在今年5月20日，WSJ曾经报导日本的银行业将提供1.3兆日圆(约118亿美元)的融资，帮助TMC从美国苹果、戴尔、希捷、金士顿等四家公司手上买回该公司的优先股。在简化该公司的资本结构后，将有利未来在股票市场进行上市，并让TMC在资本密集的科技产业，透过公开募股来获取资金。

 

　　消息人士指出，苹果、戴尔、希捷、金士顿等四家公司，将在一项再融资计划当中，放弃他们手中所持有价值约40亿美元的东芝存储器优先股。据了解，2017年，东芝同意以2万亿日元(约合180亿美元)的价格将旗下芯片业务部门(即东芝内存)出售给贝恩资本财团。根据协议，东芝将持有约东芝内存40%的股份。其他贝恩联盟的成员包括苹果公司、韩国芯片制造商SK海力士、戴尔科技、希捷科技、金士顿科技和豪雅。

 

　　这几家美国公司都是东芝存储器在半导体方面的客户，他们在去年6月协助贝恩资本(Bain Capital)所主导的美日韩联盟，从东芝手中买下其半导体部门。这项交易，不仅阻止东芝半导体部门被西数收购，也进一步防止韩国三星电子在市场上坐大。

 

　　根据消息人士说法，日本的银行业将提供1.3万亿日元(约118亿美元)的融资，帮助东芝存储器从四家美国公司手上买回该公司的优先股。而简化后的资本结构，也将有助于该公司未来在股票市场更容易上市。并让东芝存储器在这门资本密集的行业，透过公开募股来获取资金。

 

　　四家美国公司将在5月底前，以约45亿美元的代价，将持有的优先股卖给东芝存储器。而这几家公司，已经从这项投资获得数亿美元的进帐。苹果与金士顿拒绝评论，而戴尔和希捷则是未作出回应。

 

　　东芝存储器计划于2019年下半年，或2020年上半年，在东京股市挂牌上市。进行IPO的时间点，将视半导体以及股票的市况而定。像是近来半导体的市场价格重挫，就不是一个理想的时机。

 

　　此外，日前根据日本媒体《日刊工业新闻》报导，由于美国对中国华为祭出禁售令的影响，使得美国存储大厂美光（Micron）延迟了在日本广岛的新厂投资计划。原因在于对华为的禁售令，导致对整体存储市场需求的下滑，因此美光不得不修正之前的计划。

 

　　据了解，美光位于日本广岛的DRAM工厂（Fab 15）採用的是最先进制程技术。其中，该厂最新的生产厂房B栋于本月初落成启用，其无尘室的面积较原先扩大了10%，并计划进行新一代DRAM的生产，以缩小与DRAM产业龙头三星的差距。以2019年第1季的全球DRAM市场占有率来看，全球三大厂中，三星的DRAM市场占有率为42.7%，SK海力士则以29.9%排名第二，美光市占率在23%位居第三。

 

　　报导指出，美光在日本广岛的工厂实际上是在2012年买下尔必达（Elpida）后纳入旗下的，原计划在2019年中期在该厂展开1z奈米制程的下一代DRAM生产。美光原本表示，将在今后数年内于广岛工厂投资数十亿美元，发展新一代DRAM存储的生产，不过，据传该厂已动工的F栋厂房部分扩建，原本预计在2020年的7月份完成兴建，如今已经延迟到2021年的2月，足足向后延迟了7个月的时间。

 

　　之前，市场调查研究机构TrendForce旗下存储储存研究（DRAMeXchange）就研究指出，在美国祭出华为禁售令的影响下，华为的智慧型手机与伺服器生产将面临严重出货障碍，衝击DRAM产品旺季需求与价格落底时间。因此，下修第3季DRAM价格展望，将原先预估跌幅从10%，扩大至10%到15%之间。

 

　　对于华为禁令事件，此前据媒体报道称，华为已向三星电子等南韩半导体/面板企业要求、希望能持续维持零件供应，报导指出，华为移动事业部高层于5月23、24日和三星、SK Hynix、LG Display(LGD)等韩国大企业高层会面，要求依照现行的契约条件、履行零件供应。在会面上，华为也向韩企说明欧洲、非洲等地的智能手机销售量可能将因美国禁令而减少的因应对策。华为指出，计划将现行29%的中国市场市佔率提高至50%、建构出不动如山的中国龙头地位，因此希望DRAM的供应量不要减少。

 

　　据了解，华为的存储芯片主要供应商包括三星、SK海力士、美光、东芝等等，中国供应商比例相当低，约不到1%，目前美光以及相关下游模组厂已不出货华为，华为最有可能往三星以及SK海力士求援。

 

　　事实上，华为早知道会在中美贸易战以及5G竞争下，迟早会有一天供应链或市场会被美国封杀，因此早在华为事件爆发之前，就开始进行零组件的积极拉货备料，而在正式封杀令开始后，业内人士更传出，华为高层都在为此事提前作战，对存储芯片的拉货动作更大。

 

　　台湾群联董事长潘健成也证实，华为已针对Nand flash进行扫货，在此情况下，其它的系统厂商也会跟进，有利于Nand flash的需求反弹。华为事件对于供应链的转移也有影响，以Nand flash来说，全球供应商的厂商较多，有7-8家业者可生产，华为在Nand flash先前较多是跟美光采购，现在则较多转往韩系供应商。

 

　　Nand flash这两年来因供应的厂商家数较多、各家业者又有新产能不断开出，需求面又因为手机销售不振等因素，需求成长较平缓，造成这两年来Nand flash价格一路走跌，今年仍持续是跌势，其中又以三星是带头将价格往下杀，目前除了三星Nand flash业务在成本区间左右，其它Nand flash厂商几乎都是赔钱生产。

 

　　但业者预期，Nand flash原厂不可能一直忍受亏损，再加上两大Nand flash厂商这两年来都是新人上任主导公司营运，背负缴出营运成绩单的压力，在此情况下，Nand flash下半年一路跌势的状况应该可止稳。

 

　　至于在DRAM业务，相对供应商则较为稳定，目前则是以全球三大厂寡占，且在Nand flash亏损失血下，三大厂要靠DRAM来赚钱，所以会维持DRAM的优势，不会随意扩产维持供给稳定；而在需求上，去年第四季DRAM库存高开始进行消化，今年第一季库存仍是偏高，目前库存回到略高于合理水位一点，随著DRAM、伺服器、PC、绘图以及手机记忆体需求回升，下半年DRAM再跌空间有限，并有可能率先Nand flash反弹。

 

　　今年以来，DRAM现货市场价格跌幅沉重，市场预期，DRAM第三季价格还会再跌，但跌幅会缩小，第四季有望止稳，主因在去年过度拉货下，去年底到今年第一季是库存高峰，目前库存都已回到近正常水准，第三季价格再看旺季需求状况，但因华为事件掀波澜，供需平衡点会受到影响。

 

　　TrendForce还表示，中美贸易战升温，导致下半年DRAM需求急冻，因此下修华为在2019年的终端出货量。此外，不确定性氛围上升使得资料中心的资本支出放缓，预计2019年底前，体质较弱的DRAM供应商恐将认列帐面现有库存损失，财报转为亏损。所以，在这样的市场份为下，美光对于先前规划的投资计划，当前不得不做修正与调整。