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三星全球最大半导体工厂即将建成,64层堆栈3D闪存七月投产

bolvar 2017-04-13 16:15
NAND芯片 三星闪存 阅读(6713)
导语在平泽工厂之前,三星在中国西安投资70亿美元建设了NAND工厂,主力产品就是目前的48层堆栈3D NAND,未来西安工厂也会投产64层3D NAND闪存。
   作为全球最大的NAND芯片供应商,三星自己一家就占据全球37%的份额,是第二名东芝的两倍,产能、技术都要领先于其他几家公司。现在其他公司赶超三星闪存的可能性更小了,因为三星两年前斥资144亿美元建设的平泽工厂基本完工了,三星称其为世界最大的半导体工厂,预计7月份正式投产,主要生产64层堆栈的新一代3D NAND闪存。

 
三星全球最大半导体工厂即将建成,64层堆栈3D闪存七月投产
 

  2015年三星宣布了15.6万亿韩元(约合144亿美元)的半导体投资计划,将在韩国平泽市建设全球最大的NAND晶圆厂,预计在2017年上半年完工。平泽工厂将在三星的NAND业务中扮演关键角色,未来将与三星在京畿道器兴市的系统半导体工厂、华城市的DRAM内存工厂形成铁三角。

  平泽工厂预计会在7月份正式投产,虽然号称是全球最大的半导体工厂,不过产能提升也是有个过程的,今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月,一两年之后才能全速运转。三星平面及3D闪存工厂加起来每月产能大约是45万片晶圆,平泽工厂将占据10-20%的份额。

  既然是费尽心血建设的新一代工厂,平泽工厂生产的产品自然也会是最新的3D NAND闪存,三星之前已经发布了堆栈层数分别是24、32、48层的三代3D NAND,平泽工厂下半年预计会生产堆栈层数达到64层的第四代3D NAND闪存。

  根据三星之前公布的资料,64层堆栈的3D NAND核心容量提高到512Gb,IO接口速度800Mbps。

  在平泽工厂之前,三星在中国西安投资70亿美元建设了NAND工厂,主力产品就是目前的48层堆栈3D NAND,未来西安工厂也会投产64层3D NAND闪存。

  三星平泽工厂在未来两三年内可能还是最大的半导体工厂,不过这个最大工厂的名头很有可能被中国的长江存储科技取代——该公司在武汉、南京建设的晶圆厂规模更大,2020年时每个晶圆厂月产能可达30万片晶圆(还是12英寸的),真要投产了这两个工厂的产能就足以比肩三星全部NAND工厂产能,而武汉基地规划的产能最终是在2030年达到每月100万片晶圆。

  昨天紫光高层还表态不会打价格战,不过未来中国自己生产的3D NAND闪存问世了,如此庞大的产能之下怎么可能没有价格战,不过往好的方面看,国产厂商加入战局也有可能带动3D NAND从大幅涨价回归理性。
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