2017年有望成为高端存储芯片国产化元年 长江存储进展最快
阮晓琴
2017-03-27 10:05
手机存储芯片
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国产存储器
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导语3D NAND Flash、DRAM是智能手机存储芯片，中国企业一直缺席这两个主要市场。记者从2017中国半导体市场年会获悉，这一状况有望改变。
记者24日从中国半导体协会主办、赛迪顾问承办的“2017中国半导体市场年会暨第六届中国集成电路产业创新大会”获悉，2017年有望成为国产存储器大规模主流化发展元年。
3D NAND Flash、DRAM是智能手机存储芯片，中国企业一直缺席这两个主要市场。记者从2017中国半导体市场年会获悉，这一状况有望改变。目前国内存储器芯片主要参与者有三个，分别是湖北武汉的长江存储、福建泉州的晋华存储以及紫光集团。其中，长江存储初期定位Flash 产品，后期将扩展DRAM产品，晋华存储项目定位DRAM产品。紫光集团除直接入股长江存储外，还将在不同地点布局Flash、DRAM产品。
赛迪顾问人士透露，在两年的准备期之后，2017年上述项目将进入实质性项目建设阶段。长江存储目前是进展最快的一方，其本身在Flash领域已经有较丰富的经验，有望率先量产。晋华项目已经开工建设，项目运营由经验丰富的台湾台积电负责，技术则委托联电进行开发。紫光集团目前在南京开工新建Flash产线。
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