1983年2月 创立现代电子株式会社
公司概要展望商业领域主要历程可持续经营
持续经营报告书伦理经营
伦理经营宣言伦理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志
1984年 9月完成FAB II-A
1985年 10月开始批量生产256K的DRAM
1986年 4月设立半导体研究院
6月举行第一次员工文化展览会"Ami Carnical"
1988年 1月开发1M的DRAM
11月 在欧洲当地设立公司(HEE)
1989年 9月 开发4M的DRAM
11月 完成FAB III
1991年3月 开发16M的DRAM
1992年11月 开发64M的DRAM
1993年 8月 接管Maxtor公司(美国HDD生产公司)
9月 获得半导体类ISO9001证书
1995年10月 在世界上首次开发256M的SDRAM
在美国俄勒冈州设立半导体工厂
1996年12月 公司股票上市
1997年5月 在世界上首次开发1G SDRAM
1998年9月 开发64M的DDR SDRAM
1999年 3月 出售专业的半导体组装公司(ChipPAC)
10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社
2000 4月 剥离电子线路设计业务'Hyundai Autonet'
8月 剥离显示屏销售业务'Hyundai Image Quest'
2001 3月 公司更名为"Hynix半导体有限公司"
5月 剥离通信服务业务'Hyundai CuriTel'
剥离网络业务'Hyundai Networks'
7月 剥离CDMA移动通信设备制造业务'Hyundai Syscomm'
8月 完成与现代集团的最终分离
9月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
2002 3月 开发1G DDR DRAM模块
6月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
10月 开发0.10微米、512MB DDR
11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门
2003 3月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
4月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
5月 采用0.10微米工艺技术投入生产
超低功率256Mb SDRAM投入批量生产12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
7月 宣布在世界上首次发表DDR500
8月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
2004 2月 成功开发NAND闪存
3月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz
1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
6月 签订非内存事业营业权转让协议
7月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
8月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议11月 与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订 关于在中国合资建厂的协议
2005
1月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
3月 发布2004年财务报表，实现高销售利润
4月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
7月 提前从企业重组完善协议中抽身而出
11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
2006
1月 发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)3月 业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
9月 300mm研究生产线下线
10月 创下创立以来最高业绩
通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
12月 业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块
开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
2006
年创下最高业绩及利润
2007
1月 开发出以"晶圆级封装(Wafer Level Package)"技术为基础的超高速存储器模块
3月 开发出世界最高速ECC Mobile DRAM
发表"生态标记(ECO Mark)"
与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)
金钟甲就任新任代表理事、社长
4月 DOC H3开始大量生产
在韩国清州300mm设施开工
实现最高水平的营业利润率
5月 业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
7月 发表企业中长期总体规划
8月 开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
9月 以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
10月 与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同
与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
11月 WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议获得对1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
12月 成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
2008
1月 发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
5月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
8月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用metaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
11月 引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
2009年
1月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证
2月 世界最先开发44nm DDR3 DRAM
3月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
4月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
