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英特尔向大连工厂投资55亿美元：转型存储芯片

2015-10-22 10:16
英特尔 阅读(1977)
导语在Intel上周发布的第三季财报中，净利润出现了明显下滑。对于全球处理器头号大厂来说，在PC走势必然不好的背景下，他们必须想办法拓展一些新的更有利润的业务.

    北京时间10月21日上午，英特尔宣布将在中国大连投资55亿美元，将其在当地的工厂转型为存储芯片制造工厂，专注于非易失性存储芯片（ nonvolatile memory chips）。

    英特尔大连工厂虽然创办于2010年，但是在制造工艺上却落后于其它英特尔工厂两代以上。

    今年的IDF大会上，英特尔中重点推介了3D XPoint技术，这种基于电阻非易失性内存存储方案（统一了DRAM内存和SSD），理论速度可以比如今的固态硬盘快千倍。

    英特尔表示，大连工厂预计将从2016年下半年开始生产3D NAND闪存芯片。

    英特尔称，未来3至5年最多将投资35亿美元，随后还将增至55亿美元。英特尔的绝大多数营收都来自处理器，但该公司已经与美光科技组建了一家存储芯片合资公司，专门生产移动和计算设备中使用量越来越大的NAND闪存芯片。

    通过将存储介质从磁盘变成半导体，英特尔希望加快数据获取速度，并加快笔记本电脑、服务器和台式机的响应速度。

    英特尔最近一个季度表示，存储芯片将帮助该公司抵消PC处理器的疲软需求。

    美光科技称，该公司可能使用升级后的工厂供应的存储芯片，今后还有可能加大这一项目的参与力度。但该公司尚未做出正式决定。

    截至周一收盘，英格尔股价今年以来累计下跌7.4%，美光科技股价累计下跌11%。
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