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爆料:三星计划使用14nm FinFET工艺打造1.44亿像素传感器

IT之家 2019-12-16 17:21
CMOS图像传感器 传感器像素 阅读(4661)
导语冰宇宙曝出的图显示,手机CMOS图像传感器的市场趋势是递增的,传感器像素从小于1000万像素到大于1亿像素。三星希望在超过1亿像素密度的情况下使用14nm技术,辅以FinFET工艺还能有效降低传感器的功耗。
   12月16日消息冰宇宙爆料称,三星计划使用14nm FinFET工艺制造1.44亿像素传感器。
 
爆料:三星计划使用14nm FinFET工艺打造1.44亿像素传感器
 
  冰宇宙曝出的图显示,手机CMOS图像传感器的市场趋势是递增的,传感器像素从小于1000万像素到大于1亿像素。三星希望在超过1亿像素密度的情况下使用14nm技术,辅以FinFET工艺还能有效降低传感器的功耗。
 
  目前,暂无更多有关三星14nm FinFET工艺及1.44亿像素传感器的爆料消息。
爆料:三星计划使用14nm FinFET工艺打造1.44亿像素传感器
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