基本上，功率半导体大致可分为功率离散元件(Power Discrete)与功率积体电路 (Power IC)二大类，其中，功率离散元件产品包括MOSFET、二极管，及IGBT，当中又以MOSFET与IGBT最为重要。

英飞凌、安森美、瑞萨、意法半导体等海外厂商在MOSFET领域占据较大市场份额，但是就中低压类型的MOSFET而言，国产厂商与海外厂商技术实力接近，竞争优势不小。

潮电智库此前发布了2024年全球储能逆变器IGBT厂商TOP10，在行业中广为流传，获得一致称赞，至此潮电智库经过走访调研制造出2024年全球储能逆变器MOSFET厂商TOP10。也由于优秀企业过多，欢迎未上榜企业联系潮电智库数据研究部门。

MOSFET是电池管理系统（BMS）使用的器件之一，通常一个BMS模块中使用多颗MOSFET，BMS被看作是电池组的守护者，负责监测电池状态、均衡充电、保护电池免受损害。

在智能化浪潮下，BMS通过精确的算法预测电池健康状况，还能根据实时工况动态调整充放电策略，最大化能量利用效率。这一转变要求BMS具备更高的计算能力和更精细的数据处理能力，同时对功率器件提出了更高要求。

MOSFET作为一种功率器件，其性能直接影响BMS效率与响应速度。新一代MOSFET采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带材料技术，不仅开关速度快、导通电阻低，还具有更高的工作温度阈值，使BMS能够在更宽的工作范围内实现高效能的电能管理，减少热损耗、提升系统整体续航能力。