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三星18nm工艺内存芯片曝缺陷 明年全面挺进16nm

快科技 2019-04-10 09:28
内存芯片 阅读(4384)
导语三星从2018年中开始使用18nm工艺量产8Gb(1GB)容量的服务器内存芯片,明年则会加大16nm 16Gb(2GB)的产能和出货量。
   作为占据全球DRAM内存芯片过半市场的超级巨头,三星电子的一举一动都影响着整个行业。前几年内存价格持续暴涨,三星赚得盆满钵满,最近日子就不太好过了,一季度营业利润暴跌了超过60%。但无论如何,为了持续稳稳占住市场,产品和技术还是要继续推进的。目前,三星在服务器内存芯片上主要使用18nm工艺,不过明年会全面转向新的16nm工艺。

三星18nm工艺内存芯片曝缺陷 明年全面挺进16nm
  三星从2018年中开始使用18nm工艺量产8Gb(1GB)容量的服务器内存芯片,明年则会加大16nm 16Gb(2GB)的产能和出货量。
 
  另外,有市场传闻称,三星发给美国某数据中心厂商的18nm工艺服务器内存芯片被退了货,因为产品质量不稳定。
 
  不过还好,由于这批货在内存服务器芯片总的出货量中占比不是很大,目前看影响有限。
 
  市调机构预计,到2023年,服务器和数据中心将取代PC和手机,成为最大的DRAM内存芯片市场。
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