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三星否认需求不足致内存降价:内存需求没有重大变化

超能网 2018-09-15 13:57
内存芯片 NAND闪存 阅读(5103)
导语在三星否认内存需求下降的同时,高盛银行及Stifel Nicolaus等投行纷纷警告内存芯片市场将会恶化到2019年,认为DRAM内存及NAND闪存内存基本面成长疲软,此举导致美光股价连续下跌,本周内股价下跌了12%。
   与NAND闪存价格由涨转跌不同,2018年内存芯片价格依然居高不下,不同的是今年Q1、Q2季度内存价格涨幅有所下降,涨价幅度只有5%左右,而Q3、Q4季度内存价格普遍被看跌,主要是因为市场需求不足,尤其是是智能手机旺季不旺,而最近因为英特尔14nm产能不足导致PC市场需求雪上加霜,集邦科技认为Q4季度内存及闪存价格要比预期降价更多。
 
  对于内存芯片需求不足可能导致内存降价的消息,三星主管存储芯片、代工等业务的CEO金奇男表示今年底内存需求没什么重大变化,2019年内存芯片需求还会继续强势,从侧面否认了内存芯片降价的可能。
三星否认需求不足致内存降价:内存需求没有重大变化
  韩国媒体报道称,三星电子副总裁设备解决方案部门CEO金奇男日前出席公司活动时接受了记者采访,被问到内存芯片需求下降的问题,他表示“至少今年Q4季度之前,内存芯片市场需求不会有什么重大变化。”
 
  那么2019年的内存市场的强劲需求是否会结束呢?金奇男预测明年的内存市场需求依然会很强劲。
 
  三星电子今年Q2季度芯片业务运营利润达到了102亿美元,同比增长了44%。
 
  在三星否认内存需求下降的同时,高盛银行及Stifel Nicolaus等投行纷纷警告内存芯片市场将会恶化到2019年,认为DRAM内存及NAND闪存内存基本面成长疲软,此举导致美光股价连续下跌,本周内股价下跌了12%。
 
  为了应对内存及闪存芯片降价,之前Digitimes援引业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划,三星据传暂停在了韩国华城和平泽工厂为1ynm工艺的DRAM芯片增加新的产能的计划,原本三星计划在Q3季度增加每月3万片晶圆的产能。
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