据旭日显示与触摸了解，晶瑞股份的i线光刻胶由子公司苏州瑞红生产，系承接国家重大科技项目02专项"i线光刻胶产品开发及产业化"而来，为首次在国内实现i线光刻胶的量产。

 

　　在半导体制造领域，光刻和刻蚀技术是半导体芯片在精细线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-60%，占芯片制造成本的35%左右。而光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料，占芯片制造成本约7%左右，是评定半导体芯片生产工艺技术水平的重要指标。中国国内光刻胶产品和国外先进产品相比，基本上落后了三、四代左右。

 

　　《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出"研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料"；国家重点支持的高新技术领域（2015）中提到"高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分，是重点发展的新材料技术"；光刻技术（包括光刻胶）是《中国制造2025》重点领域。
 

 

　　目前市面上的半导体光刻胶一般分为磺化橡胶光刻胶、g/i线光刻胶（436/365nm）、KrF/ArF光刻胶（248/193nm）。i线光刻胶是指在365nm波长下工作的光刻胶，主要用于6英寸和部分8英寸晶圆半导体的生产。

 

　　苏州瑞红是国内最早生产电子光刻胶的化工企业，在中国液晶显示行业发展过程中，苏州瑞红为LCD光刻胶国产化做出了重要的贡献，约占国内四成左右的市场份额。

 

　　在中国的半导体光刻胶领域，苏州瑞红也在材料国产化领域发挥了重要作用，其用于4~5英寸分立器的磺化橡胶光刻胶占了国内约六成的市场份额。i线光刻胶通过中芯国际上线测试，对于苏州瑞红和晶瑞股份来说，不仅仅是产品升级、业绩增长而已，还代表着中国企业在半导体核心材料上的重大突破。

 

　　半导体光刻胶的技术壁垒很高，全球半导体行业中涉及光阻材料的核心技术主要被日本和美国企业所垄断，包括日本的JSR、信越化学、TOK、住友化学、美国的SEMATECH、IBM、韩国的东进化学等，它们加起来的市场份额超过了95%。

 

　　目前中国国产光刻胶正在由中低端向高端逐步过度，中国国内厂商在半导体领域基本掌握了g线（436nm）和i线(365nm)光刻胶技术，正在攻克KrF（248nm）和ArF(193nm)光刻胶核心技术。

 

　　其中除晶瑞股份系承接国家重大科技项目02专项"i线光刻胶产品开发及产业化"项目外，南大光电（SZ:300346）入股的北京科华，KrF（248nm）光刻胶上有小批量在中芯国际通过验证，同时也承接了国家重大科技项目02专项"193nm光刻胶及配套材料启动项目"；另外，上海新阳(SZ:300236)则投资设立子公司开展193nm(ArF)干法光刻胶研发及产业化项目。

 

　　苏州瑞红是苏州电子材料（集团）有限公司同日本瑞翁（NIPPONZEON）和日本丸红（MARUBENI）合资创建的专业生产电子化学品的公司，2011年12月20日，苏电公司与晶瑞有限签署股权转让合同，将其所持苏州瑞红54.56%的股权转让给晶瑞有限，2017年5月，晶瑞有限首次公开发行股票并在创业板上市，股票简称为"晶瑞股份"，股票代码为"300655"。

 

　　晶瑞股份2018年半年度业绩预告显示，上半年归属于上市公司股东的净利润为盈利：2050万元～2450万元，比上年同期增长：43.29%～71.25%。