三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计，是目前行业纪录，内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。