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碾压联发科！高通骁龙6系芯片下半年升级为10nm工艺

凤凰科技 2018-02-27 14:17
高通骁龙6 HelioP60 阅读(12766)
导语根据此前曝光的消息，高通下一代中端芯片骁龙670将采用10nm工艺制程，其CPU内核将会以big.LITTLE架构的形式呈现。
 　　2月26日，联发科在MWC2018上发布了Helio P60，它基于台积电12nmFinFET工艺打造，采用4颗Cortex A73大核+4颗Cortex A53小核组成，CPU最高频率为2.0GHz，GPU为Mali-G72 MP3，频率为800MHz。

碾压联发科！高通骁龙6系芯片下半年升级为10nm工艺
 
　　它最高支持8GB LPDDR4X内存，闪存最高支持UFS 2.1。
　　
　　从规格不难看出，联发科Helio P60定位中端，其对标的是高通骁龙6系芯片。不过对于高通来说，联发科似乎并没有对其构成威胁。
　　
　　据业内人士@草Grass草透露，2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程，并开始向4系渗透，对联发科形成全面包围之势。
　　
　　这次升级，不仅使高通骁龙6系芯片性能有所提升，功耗、发热控制也会更加优秀，届时对联发科Helio P60带来不小的压力。
　　
　　根据此前曝光的消息，高通下一代中端芯片骁龙670将采用10nm工艺制程，其CPU内核将会以big.LITTLE架构的形式呈现。
　　
　　它有2颗高端定制Cortes A-75内核，用Kryo 300 Gol架构搭建；还有6颗低端定制Cortex A-55内核，用Kryo 300 Silver架构搭建。低端内核最高时钟速度约为1.7GHz，高端内核可达2.6GHz。
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