据悉，三星在中国西安一期工厂于2013年建设，2014年第一代V-NAND量产，用于生产先进的3D NAND。2018年3月，三星将在此后的3年内投资70亿美元新建二期项目，根据建厂进度，该工厂预计在2019年底建设完工后，设备将搬入并开始量产。

　　有消息称，三星西安二期工厂已安装部分设备并开始试运行，以检查量产前的情况，预计将在2020年2月开始批量生产。三星除了西安二期工厂，位于平泽工厂不远处所新建的P2 Project建设也基本完成，已进行了少量的设备投资，原本三星计划在2019下半年进行设备安装，但由于市场需求低迷，以及贸易关系动荡等因素影响，所以延迟到2020年第一季度进行设备安装。

 

　　一般新工厂投产前，至少需要2-3个月设备准备时间，随着技术的不断提升，尤其是3D技术向100层以上升级，出现量产等问题的几率增加，所以要求的精密度也越来越高，这也是为什么原厂不断投资建厂的原因之一。

 

　　2019年8月，三星宣布推出首个100+层且单栈（Single-stack）设计的新的V-NAND，突破了目前3D NAND堆叠的限制，还计划从2020年开始在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产，以更好地满足全球客户的需求。

 

　　三星作为NAND Flash市场排名第一的厂商，其新厂规划、量产进程等备受市场关注，因为这将直接影响到NAND Flash市场供需变化。2019上半年由于产能供应过剩和市场需求低迷，导致NAND Flash和DRAM价格双双下滑，虽然7月份市场价格和需求均有所反弹，但是依然未能改变原厂财报同比大跌的颓势。

 

　　日前，三星公布了第三季财报初步数据，初步预估营收为62兆韩元，同比减少5.3%，营业利润则同比下滑56%。美光第四季财季净利润5.6亿美元，不仅环比下滑33%，更是同比大跌了87%。

 

　　就目前而言，三星无论是西安二期还是平泽二期工厂，都将在2020年上半年投入量产3D NAND，所以短期内对市场供应影响有限。

 

　　三星新工厂选择在2020年投产，除了有助于缓解当前市场供过于求的市况外，2020年5G手机将掀起一波换机需求，而中国是重要的市场，同时对大容量NAND Flash需求也会增加，在贸易紧张的关系下，三星加大在中国新工厂的投资，将可更好的满足中国市场需求。

 

　　消息来源：腾讯科技