8月17日消息，美光本周在新加坡举办了庆祝Fab 10工厂扩建顺利完成的仪式。尽管新的洁净室不会增加该公司每月的晶圆产能，但却能让美光技术使用更先进的3D NAND工艺技术，生产具有更高层数和比特位密度的产品。实际上，Fab 10 Expansion是由多个部分组合而成的，包括了此前的Fab 10N和Fab 10X设施。

 

　　新加坡是美光闪存生产重要据点，台湾和日本则是动态随机存取存储器（DRAM）生产重心，近几年美光扩大亚洲投资，日本持续推升DRAM先进制程，在台中兴建美光海外首座3D DRAM封装厂，且和台中、桃园DRAM厂建构成为美光的DRAM卓越中心。美光并承诺扩大台湾DRAM制造规模，相关计划已提交台湾地区中科管理局审核，希望政府协助解决土地、用水和用电等问题。

 

　　这座新厂是美光NAND卓越中心的一项，美光将充分利用在新加坡基础设施和技术专长的长期投资，透过扩建无尘室并转制程推进至3D NAND Flash。

 

　　此次美光扩建工厂后，虽然不会增加晶圆产能，但是更高水准的洁净室能让美光继续生产更高层数的3D NAND产品，3D NAND层数越多，所需要刻蚀的时间也就越长，这要求洁净室的环境符合更严格的标准。

 

　　官方指出，新3D NAND生产设施占地16.5万平米。至于洁净室的空间、以及其它扩展功能部分，美光暂未透露。

 

　　目前该工厂正在设备安装阶段，预计可在2019下半年（未来4-5个月）投产96层3D NAND。至于具体的生产安排，将依实际需求而定。

 

　　在设备齐全之后，这里也不会增加任何新的晶圆容量，而是容纳更多3D NAND层数制造所需的、更先进的工艺设备。

 

　　据悉，随着3D NAND层数的增加，每片晶圆都需要在化学气相沉积（CVD）机器中耗费更多的时间，意味着蚀刻的工艺流程会被拖得更久。

 

　　此外，美光还会运用更多奢侈的生产技术。为了保持晶圆处理数量的一致性，闪存制造商必须在洁净室中加装额外的CVD和蚀刻机，这对设施空间提出了额外的要求。

 

　　综上所述，尽管Fab 10 Expansion可能不会提升美光新加坡工厂的每月晶圆数量，但确实可在NAND闪存生产方面实现一定的增长。

 

　　最后，除了新的制造工厂，美光还将扩大在新加坡的研发业务。其NAND卓越中心着力进行技术研发和产品工程，以进一步提升Fab 10工厂的产能和良率。

 

　　美光强调，在新加坡兴建新厂，是3D NAND Flash技术进阶节点的技术转型，因应5G、AI和自动驾驶等领域的客户需求，同时也提升美光未来成长动能。