目前市场上主流的3D摄像头产品大多采用VCSEL光源，随着3D摄像头的爆发，VCSEL市场也将迎来强劲增长，而在庞大的市场前景面前，不少企业开始大力进军这一市场。

 

　　近日晚间，乾照光电发布了一则关于投资VCSEL/高端LED芯片等半导体研发生产项目的公告。乾照光电在公告中透露，为充分发挥厦门乾照光电股份有限公司（以下简称“公司拟”）已有的技术优势、设备优势、工艺优势、提升产品结构，加快实现科技成果的转化，公司拟出资15.97亿元建设VCSEL/高端LED芯片等半导体研发生产项目。

　　其中银行贷款8.51亿元，其余由公司以其他方式自筹出资。根据公告内容显示，该项目由公司全资子公司厦门乾照光电半导体科技有限公司（以下简称“乾照半导体”）负责承办。

 

　　笔者获悉，该项目安排在2018年启动，2019年上半年开工建设，建设期预计22个月，2021年建成投产，2022年实现满产运行。

 

　　乾照光电在公告中透露，本项目投产后，预测达产后年销售收入9.66亿元，达到产年利润总额为2.37亿元，达产年投资利润率17.71%。

 

　　对于VCSEL、红外LED等领域的行业及发展态势，乾照光电在公告中也做出了详细的说明。

 

　　针对VCSEL这一市场，乾照光电在公告中表示，2017年以VCSEL激光器为核心元器件的3D Sensing摄像头在iPhone十周年机型的应用，将带动相关细分市场十倍以上级别的爆发。

 

　　iPhone X脸部辨识启动3D感测应用后，非苹阵营可望跟进，目前安卓手机阵营中没有应用国产化的VCSEL芯片，VCSEL外延片芯片的关键技术主要为国际少数几家大公司所垄断，也是我国激光芯片产业中较为薄弱的环节。

 

　　从应用上来看，2017年苹果手机开始应用VCSEL芯片，2018年国内一线手机品牌开始使用，同年苹果在2018年的三款iphone新机种，以及ipad上都使用3D感测。基于此有数据显示，2017年VCSEL全球市场规模大概在1.5亿美元左右，2019年应用于智能手机的VCSEL芯片出货量预计增长至2.4亿颗。

 

　　而随着全球范围内相关VCSEL供应商的产能不断增长，全球VCSEL市场的复合年增长率可达17.3%，市场规模到2020年或将增长至200亿元。

 

　　针对红外LED领域，乾照光电在公告中透露，“红外LED光源市场并非新鲜”，随着固态照明近期的发展而迅速成长壮大，起初，红外光源主要应用于光通信领域，进入20世纪80年代，红外LED开始被整合到各种消费类应用中如遥控器，然后红外光源市场受夜视应用驱动，如安防监控摄像机，近期随着各种新兴应用的出现，例如脸部于虹膜识别、心跳血氧感测、虚拟实镜（AR）、车用感测等应用出现，使得红外光LED的产值持续成长，带来无限商机。

 

　　据了解，红外LED在安防监控领域的具体应用方面，940nm红外线LED还能够在连续驱动模式下保持较长使用寿命和高功率，十分适合不间断运行的监控系统，除了用于相机的红外线照明，940nm红外线LED感测器可用于在IR数据传输、车用感测器、遥控器等领域。

 

　　有数据预估2017年红外线LED市场规模（不含光学感测元件市场）约4.39亿美元，2018年估达到5.05亿美元，预估至2021年持续成长至6.97亿美元，主要成长动力于安全监控、虹膜及脸部识别、红外线触控面板等，红外光源市场将迎来10年的增长，成为LED厂商的新蓝海。

 

　　乾照光电表示，公司的红黄光芯片在现有的红外传感芯片取得突破的基础上，持续拓展高端市场，进入探测、安防领域。

 

　　值得一提的是，对于Mini&MicroLED、空间太阳能电池这一领域，乾照光电在公告中也有明确的说明。针对Mini&MicroLED，乾照光电透露，MicroLED有两方面的应用，一个是背光，一个是电影显示屏，在MicroLED背光的方向上，芯片端技术相对成熟，公司给下游的封测厂、终端用户在做送样配合；在Mini显示屏的部分，芯片端公司已经完成准备，Mini LED方面接下来跟应用、封装厂一起配合做封装端的突破。

 

　　此次项目的建设对乾照光电的战略发展具有重要的意义。砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产，技术含量高；在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛，而相关国内厂商稀缺，国家正大力支持该行业的迅速发展，乾照光电凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，通过本项目的建设，将有助于乾照光电在其他市场领域的突破。

 

　　其次，有利于推动LED芯片技术升级，拓展应用范围及高端产品国产化的需要。就整个市场大环境而言，我国是传统照明产品的制造和消费大国，半导体照明作为新型的节能环保技术，其核心器件产品LED芯片的效率指标以及成本偏高一直是制约我国该产业发展的重要因素。

 

　　而发光效率的提高取决于LED外延芯片技术的积累和技术，制造成本的降低则取决于LED芯片生产的规模化以及上游配套产业链的技术发挥在那及成本控制能力，长期以来，以日本为代表的发达国家占据着LED芯片生产的大部分市场份额，我国本土LED芯片企业占比相对较小，配套产业链技术薄弱。

 

　　近年来，随着国产LED芯片技术的不断提高，芯片产品的性能得到较大提升，在显示屏、照明、背光等诸多应用领域得以应用并逐步获得市场认可，但是，从芯片技术还是无法与日本等发达国家同台竞技，该公司要以发展高端产品倒逼整体芯片技术进步，另要用高端LED芯片提高市场渗透率，而本次项目达产后，有利于推动高端可见光半导体LED芯片的国产化进程，降低终端应用产品的生产成本，促进产业健康发展，完善我国自主的LED产业链，提升我国半导体产业的国际竞争力。

 

　　其三，该项目可提升乾照光电竞争力。由于我国是全球最大的照明产品生产国和出口国，所以将来中国是以LED产业为核心的半导体照明产业的主要聚集区域，LED上游外延片行业对资金和技术要求较高，这也成为进入该行业的最大门槛，在未来日趋激烈的市场竞争中，具备规模和技术优势的企业会逐渐拉开与竞争对手的差距，从而成为行业的主导者。

 

　　随着乾照光电产品品质和知名度的不断提升，市场对该公司产品的认同度也不断提高，但与台湾晶电等国际厂商相比，乾照光电规模仍有较大的提升空间，而随着乾照光电客户面不断拓展和客户对该公司高端产品需求的日益增长，乾照光电现有规划的产能已无法与公司的市场地位相称，产能的不足不仅制约了公司收入和盈利规模的进一步提升，也在一定程度上影响了公司的市场竞争力，为了提升规模效益，提高客户忠诚度，进而保持公司的市场领先地位，扩产项目建设势在必行。

 

　　总体而言，此次通过该项目的建设，乾照光电生产规模会更上台阶，市场竞争力会得到显著提升，而本项目的实施，可以对地区的半导体发展有着明显的推动作用。

 

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