自主芯片的研发,已经上升到国家的高度,在这个领域寻求更大的突破和发展,是国内科研人员目前集体努力的方向。
在昨天举行的“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”活动上,集成电路专项技术总师叶甜春对外表示,国产14nm工艺已经攻克难关,将在明年投入量产。
叶甜春强调,通过2万科技工作者9年的艰苦攻关,终于研制成功14nm刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品,性能达到国际先进水平,通过了大生产线的严格考核,开始批量应用并出口到海外,实现了从无到有的突破,填补了产业链空白。同时,制造工艺与封装集成由弱渐强,技术水平飞速跨越,国际竞争力大幅提升。
此外,叶甜春还给出了接下来国产芯片的发展规划,“十三五”将重点支持7-5nm工艺和三维存储器等国际先进技术的研发。
之前产业链给出的消息称,中芯国际已经开始启动7nm工艺制程研发,并与北方华创、中微建立了长期合作关系。目前,三星、TSMC及Intel已经完成了7nm工艺研发,准备在2018年后量产。