CES 2017大展前夕,高通公布了新一代旗舰处理器骁龙835的更多细节,基本规格方面包括:10nm工艺,采用新一代Kryo 280 CPU(四大四小Big.Little八核心设计),Adreno 540 GPU,并首次集成X16 LTE基带,支持Cat.16下行/Cat.13上行。
配图
在CES正式开幕前两天,业内知名分析师孙昌旭提前打探到了骁龙835的详情和原型机:
原型机
从照片来看这款原型机还处于重度“伪装”状态,只是展示一下骁龙835的运行体验,自然也无设计可言;手机下方是骁龙835芯片和硬币大小对比。
参数
在性能方面,四大核+四小核的设计并不罕见,但高通将其称之为“两个CPU丛集”:一个性能丛集、一个效率丛集。其中,前者主频提升到2.45GHz,二缓2MB,后者提升到1.9GHz,二缓1MB。
参数
按照高通的说法,应用载入、网页浏览、VR等会调用性能丛集,另外80%的时间都是效率丛集在工作。
续航水平
而在续航方面,全新的架构加上三星10nm Finfet工艺,骁龙835较骁龙820有了长足进步。同样在重度使用下,相比骁龙820,骁龙835能够提供额外的2.5小时的使用时间。
此外,骁龙835还带来了最新的快充技术Quick Charge 4,充电五分钟,智能手机将能续航五小时以上,并且同时也可以兼容业界type C的快充标准。
在首发终端方面,最大的可能是三星Galaxy S8和小米6。如果没有特别大的意外,小米6肯定是中国厂商中骁龙835的首发平台。
据说,小米6是一款被寄予厚望的旗舰机,高通还参与了小米一起研发,不论新的ID还是基于骁龙835上引入的各种新功能,都十分令人向往。