近日一篇〈台积电真的超越英特尔？大客户这样吐槽……〉讨论台积电、三星的技术节点数字恐怕做过美化的问题引起不小的关注，这样的问题其实在先前即为半导体业界所持续论战，并在苹果A9芯片门事件，iPhone6sA9处理器分由台积电、三星代工时讨论来到最高峰，以实际情况而言，台积电、三星制程技术真的跟英特尔差很大？
半导体三雄纳米制程到底在争什么？
台积电、三星与英特尔的先进制程竞赛打得火热，在目前14/16纳米之后，制程战一路来到了10纳米。这些数字背后的意义其实指的是「线宽」，精确一点而言，就是金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）的闸极长度（GateLength）。
场效电晶体用闸极来控制电流的通过与否，以代表0或1的数位讯号，也是整个结构中最细微、复杂的关键，当闸极可以缩小，电晶体体积也能跟着缩小，一来切换速度得以提升，每个芯片能塞入更多电晶体或缩小芯片体积；再者，当闸极长度愈小，闸极下方电子通道愈窄，之间的转换效率提升、能量的耗损也能降低，收减少耗电量之效，但当闸极太薄，源极与汲极距离愈靠近，电子也可能不小心偷溜过去产生漏电流，加以也有推动力不足的问题，这也是为何制程微缩难度愈来愈高；台积、英特尔与三星群雄间争的你死我活的原因。
三者14/16制程节点数字都灌水？
包含半导体芯片和系统还原工程与分析厂商ChipWorks、Techinsights与半导体分析厂商LinleyGroup都对台积电、三星、英特尔16/14纳米做过比较。
从LinleyGroup与Techinsights实际分析的结果，包含英特尔、台积电与三星在14/16纳米实际线宽其实都没达到其所称的制程数字，根据两者的数据，台积电16纳米制程实际测量最小线宽是33纳米，16纳米FinFETPlus线宽则为30
纳米，三星第一代14纳米是30纳米，14纳米FinFET是20纳米，英特尔14纳米制程在两家机构测量结果分别为20纳米跟24纳米。
调研TheLinleyGroup创办人暨首席分析师LinleyGwennap，在2016年3月接受半导体专业期刊EETimes采访时，也透露了晶圆代工厂间制程的魔幻数字秘密，Gwennap指出，传统表示制程节点的测量标准是看闸极长度，但在行销的努力下，节点名称不再与实际闸极长度相符合，不过，差距也不会太大，Gwennap即言，三星的14纳米约略等于英特尔的20纳米。Gwennap认为，台积电与三星目前的制程节点仍落后于英特尔，以三星而言，14纳米制程称作17纳米会较佳，而台积电16制程其实差不多是19纳米。
但美国知名财经部落格TheMotleyFool技术专栏作家AshrafEassa从电子显微镜图来看，认为英特尔、三星甚至台积电在三者14/16纳米制程差距或许不大。AshrafEassa对比英特尔14与22纳米，以及三星14纳米的电子显微镜图，其指出，英特尔14纳米侧壁的斜率要比22纳米垂直，根据官方的说法，这能使英特尔的散热鳍片（fin）更高更瘦，以提升效能。
而三星14纳米制程电子显微镜图相较起来，和英特尔14纳米制程还比较相近，加以AshrafEassa用台积电宣称16纳米FinFETPlus能比三星最佳的14纳米技术在相同功率下，效能能比三星提升10%来推测，台积电16纳米FinFETPlus的晶体管结构应与三星相差不远，甚至鳍片（fin）会更加细长。
